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1PMT5936BT1 发布时间 时间:2025/7/1 11:01:52 查看 阅读:7

1PMT5936BT1 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率晶体管,专为高频和高功率应用而设计。该器件采用了先进的封装技术,确保了优异的热性能和电气性能。其主要应用领域包括开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及无线充电等场景。
  这款 GaN 功率晶体管以其低导通电阻和快速开关特性著称,可以显著提高系统效率并减少能量损耗。同时,它还具备强大的抗电磁干扰能力,能够在复杂的工作环境中稳定运行。

参数

类型:增强型场效应晶体管
  材料:氮化镓 (GaN)
  导通电阻:40 mΩ
  击穿电压:650 V
  最大漏极电流:20 A
  栅极电荷:80 nC
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  封装形式:TO-247-4L

特性

1PMT5936BT1 的主要特性如下:
  1. 高效的开关性能:得益于 GaN 材料的独特优势,该器件具有极低的导通电阻和快速的开关速度,从而减少了传导损耗和开关损耗。
  2. 紧凑的设计:采用 TO-247-4L 封装,能够有效降低寄生电感,提升整体系统的稳定性。
  3. 宽电压范围:支持高达 650V 的击穿电压,适用于多种高压应用场景。
  4. 强大的散热能力:优化的封装结构有助于改善热传导,使芯片在高温环境下仍能保持高效运行。
  5. 可靠性高:通过严格的可靠性测试,确保产品在长时间使用中表现稳定。

应用

1PMT5936BT1 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):适用于各种类型的 AC-DC 和 DC-DC 转换器,提供高效的功率转换。
  2. 工业设备:例如伺服驱动器、变频器和其他需要高功率密度的工业应用。
  3. 汽车电子:可用于电动汽车的车载充电器、逆变器以及其他相关组件。
  4. 通信设备:支持基站电源、服务器电源等对效率和体积要求较高的场合。
  5. 快速充电器:助力开发更小巧、更高效的消费类快充产品。

替代型号

IPW65R040C6T1
  GXT65R040D8
  NFG040N65SBA

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1PMT5936BT1参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)30V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.25V @ 200mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电1µA @ 22.8V
  • 容差*
  • 功率 - 最大3.2W
  • 阻抗(最大)(Zzt)28 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳DO-216AA
  • 供应商设备封装Powermite
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 其它名称1PMT5936BT1OS