时间：2025/7/25 14:00:16
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1PMT4113/TR7是一款由ON Semiconductor生产的单极型晶体管（MOSFET）模块，主要设计用于高功率和高频率应用。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有优异的导通和开关性能。它广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及各种高功率电子系统中。TR7后缀表示该器件采用卷带封装，适合自动化装配流程。
类型：MOSFET模块
最大漏极电流（ID）：130A
最大漏源电压（VDS）：100V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为6.5mΩ
封装类型：D2PAK（双面散热）
工作温度范围：-55°C至175°C
栅极电荷（Qg）：约90nC
功率耗散（Ptot）：300W
工作频率：适合高频开关应用
1PMT4113/TR7具有多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，确保了良好的开关性能和热稳定性。
此外，该模块采用了D2PAK封装，具有双面散热能力，能够有效降低热阻，提高散热效率。其高电流承载能力和宽工作温度范围（-55°C至175°C）使其适用于各种恶劣工作环境。
1PMT4113/TR7还具有快速开关速度，减少了开关损耗，提高了系统的整体能效。栅极电荷较低，降低了驱动电路的负担，提高了响应速度。
该器件符合RoHS标准，具有环保特性，适用于需要高可靠性和高稳定性的工业和汽车电子应用。
1PMT4113/TR7广泛应用于多个高功率领域。其中，最典型的应用包括大功率DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）以及各类工业自动化设备。在电动汽车和混合动力汽车中，该器件也常用于车载充电器、电驱系统及能量回收装置。
此外，该MOSFET模块还适用于高功率LED驱动、太阳能逆变器、电焊机电源以及高频感应加热系统等需要高效功率控制的场合。
SiM4113EAY-T1-GE3，IPB113N10N3 G
