型号：1NM60-Q
　　制造商：Infineon Technologies
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：650 V
　　最大栅源电压（VGS）：±30 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：1.2 A
　　连续漏极电流（ID）@100°C：0.8 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：4.8 A
　　功耗（PD）：50 W
　　导通电阻（RDS(on)）@10V VGS：1050 mΩ 毫欧
　　导通电阻（RDS(on)）@10V VGS 最大值：1350 mΩ 毫欧
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值 3.0 V，范围 2.0 - 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：典型值 27 pF
　　输出电容（Coss）：典型值 17 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值 25 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围（Tstg）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装类型：TO-220FP

1NM60-Q采用了英飞凌先进的超级结（Superjunction）MOSFET技术，这种结构通过交替排列P型和N型柱状区域，显著提升了器件的纵向电场均匀性，从而在保持高击穿电压的同时大幅降低导通电阻。相比传统平面型或沟槽型MOSFET，超级结结构实现了更高的单位面积电流密度和更优的品质因数（Figure of Merit, FOM），即RDS(on) × Qg 的乘积更小，这意味着在相同电压等级下，该器件能够在更低的导通损耗与开关损耗之间取得良好平衡。这一特性使其特别适用于高频开关电源设计，在提高系统效率的同时减小散热器尺寸和整体体积。
　　该器件具备出色的热稳定性和长期可靠性，其TO-220FP封装具有较低的热阻（RthJC ≈ 2.5 °C/W），有利于热量从芯片传导至外部散热环境。即使在高温环境下持续运行，1NM60-Q仍能维持稳定的电气性能。此外，其栅氧层经过严格工艺控制，具备高耐久性，可承受反复的开关应力而不发生退化。器件内部还集成了快速体二极管，虽然不推荐作为主整流元件使用，但在某些拓扑如反激式变换器中可提供必要的续流路径。
　　1NM60-Q符合RoHS环保标准，并通过AEC-Q101认证，证明其在极端温度循环、湿度、振动等恶劣条件下仍能保持功能完整性，因此不仅适用于工业级应用，也可用于汽车电子系统中的辅助电源或DC-DC模块。其±30V的栅源电压耐受能力增强了对驱动电路异常的容忍度，减少了因栅极过压导致的失效风险。同时，低输入和输出电容使得驱动功耗更低，配合简单的驱动电路即可实现高效控制，进一步提升了系统的集成度和成本效益。

1NM60-Q广泛应用于各类需要高电压、高效率开关操作的电力电子系统中。典型应用场景包括：开关模式电源（SMPS），尤其是反激式、正激式和半桥拓扑结构的AC-DC适配器和电源模块；LED恒流驱动电源，特别是在高功率户外照明或商业照明系统中，要求长寿命和高能效；光伏微逆变器中的DC-DC升压或隔离环节，利用其高耐压和低损耗特性提升太阳能转换效率；工业控制设备中的辅助电源单元，为PLC、HMI等控制系统提供稳定供电；家电类产品如空调、洗衣机中的内置开关电源，满足节能标准并确保运行可靠性。
　　在通信电源领域，1NM60-Q可用于电信设备的板载DC-DC转换器或备用电源系统，保障信号传输的稳定性。此外，由于其通过AEC-Q101车规认证，也被用于车载信息娱乐系统、车载充电器（OBC）或车身控制模块中的低压辅助电源部分，适应汽车环境中宽温、高湿、强电磁干扰的挑战。在待机电源设计中，该器件可在轻载或空载状态下保持极高效率，帮助产品满足能源之星或欧盟CoC Tier 2等能效规范。总体而言，凡是在600V以上电压平台且追求小型化、高效化、高可靠性的电源设计中，1NM60-Q均是一个极具竞争力的选择。

IPD65R190CE
　　STL6N65M5
　　FQA12N65S