类型：肖特基二极管
　　封装：DO-35
　　最大重复反向电压（VRRM）：75V
　　最大平均正向整流电流（IF(AV)）：200mA
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：1.5A
　　正向电压（VF）：@ IF=10mA 时典型值 0.35V，最大值 0.5V
　　反向漏电流（IR）：@ VR=75V, Ta=25°C 时最大 500nA
　　反向恢复时间（trr）：典型值小于 1ns
　　工作结温范围（Tj）：-65°C 至 +125°C
　　存储温度范围（Tstg）：-65°C 至 +150°C

1N90L 肖特基二极管的核心特性之一是其极低的正向导通电压，这得益于其金属-半导体结结构而非传统的PN结。这种结构显著降低了导通时的能量损耗，提高了系统效率，尤其在低电压、高频率的开关电源和DC-DC转换器中具有明显优势。由于没有少数载流子的储存效应，1N90L 的反向恢复时间极短，通常小于1纳秒，远优于普通硅二极管（如1N4148的trr约为4ns）。这一特性使其在高频整流、射频检波和高速开关应用中表现出色，能够有效减少开关噪声和电磁干扰（EMI）。
　　该器件还具备优异的反向漏电流控制能力，在常温下反向漏电流仅为数百纳安级别，即使在高温环境下也能保持相对稳定，确保电路在待机或低功耗模式下的可靠性。其200mA的平均正向电流能力足以应对大多数小信号处理需求，例如逻辑电平钳位、输入保护和瞬态电压抑制。DO-35玻璃封装不仅提供了良好的绝缘性能，还便于手工焊接和自动化装配，适用于通孔插件工艺。此外，1N90L 具有较宽的工作温度范围，可在恶劣环境中长期运行，增强了系统的环境适应性。值得注意的是，虽然肖特基二极管在正向性能上优势明显，但其反向耐压通常低于同等尺寸的PN结二极管，因此在选择使用时需确保工作电压不超过其额定值，避免击穿风险。总体而言，1N90L 凭借其高速、低压损和高可靠性的综合特点，成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。
　　

1N90L 广泛用于需要高速响应和低功耗特性的电子电路中。一个典型应用是在高频开关电源中的续流二极管（flyback diode），用于在开关管关断时提供电感电流的回路路径，利用其低正向压降减少能量损失，提高转换效率。在DC-DC升压或降压模块中，它常作为整流元件，特别是在便携式设备和电池供电系统中，有助于延长续航时间。此外，1N90L 也常用于信号整流和检波电路，尤其是在射频接收前端，能够高效提取调制信号，适用于无线遥控、传感器接口和通信模块等场合。
　　在数字逻辑电路中，1N90L 可作为电平钳位或ESD保护二极管，防止过高的输入电压损坏敏感的CMOS器件。其快速响应能力可以有效抑制瞬态电压尖峰，提升系统抗干扰能力。在微控制器的I/O端口保护、USB接口防护和键盘矩阵电路中都有实际应用。同时，由于其体积小巧且成本低廉，也被广泛用于各类消费电子产品，如智能手机、平板电脑、智能家居设备和可穿戴装置中的电源管理单元。工业控制领域中，1N90L 常见于PLC输入滤波电路、继电器驱动回路和光耦隔离接口中，起到隔离和保护作用。总之，凭借其优良的电气性能和广泛的适用性，1N90L 在现代电子系统中扮演着关键角色，是实现高效、稳定和小型化设计的重要组件。