齐纳电压(Vz)：20V
　　容差：±5%
　　最大齐纳电流(Izmax)：20mA
　　功率耗散：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOD-323（表面贴装）
　　动态阻抗(Zzt)：约10Ω（典型值）
　　漏电流(Ir)：在Vr=10V时最大为100nA

1N758AUR-1具备多项优良的电气和物理特性，使其在各种精密稳压应用中表现出色。首先，其齐纳电压为20V，容差为±5%，确保了输出电压的稳定性，适用于对精度要求较高的模拟和数字电路。其次，该器件的动态阻抗较低，典型值为10Ω，有助于在负载变化时维持稳定的输出电压，从而提高系统的整体性能。此外，该稳压二极管具有良好的温度稳定性，能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内可靠工作，适用于工业级和汽车电子应用。
　　该器件的漏电流极低，在反向偏置电压为10V时最大仅为100nA，有助于减少不必要的功耗和噪声干扰。同时，1N758AUR-1的最大齐纳电流为20mA，功率耗散能力为300mW，能够在小型封装中提供可靠的稳压性能，适用于空间受限的便携式设备和高密度电路设计。SOD-323封装具有较小的体积和良好的焊接性能，便于自动化生产和表面贴装工艺。
　　另外，1N758AUR-1还具有良好的长期稳定性，适用于需要长时间运行而无需频繁维护的系统。其广泛应用于电源管理模块、电压基准源、电池供电设备、测量仪器、数据采集系统以及各类模拟电路中。

1N758AUR-1 主要用于需要精密稳压和电压参考的电子电路中。典型应用包括电源管理电路中的基准电压源、电池充电器的电压调节、模拟信号处理电路的稳定电压供给、ADC/DAC电路的参考电压源、过压保护电路以及各类传感器接口电路中的电压限制功能。此外，它也可用于数字电路中的电平转换和稳压，确保系统的稳定运行。由于其优异的温度稳定性和长期可靠性，1N758AUR-1也广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备以及消费类电子产品中。

BZV55-C20, MMSZ5250B, LM385-2.5, 1N4749A