1N749 时间：2025/12/24 18:15:46 阅读：17

1N749 是一种常见的硅半导体二极管型号，属于齐纳二极管（Zener Diode）系列。该系列二极管广泛用于电压参考和稳压电路中。1N749 设计用于提供稳定的反向击穿电压，使其适用于低功率稳压应用。由于其紧凑的封装和可靠的性能，1N749 通常用于电子设备中的基准电压源。

参数

类型：齐纳二极管
　　标称齐纳电压：12V
　　最大齐纳电流：20mA
　　功耗：500mW
　　工作温度范围：-65°C 至 +200°C
　　封装形式：DO-35（玻璃封装）

特性

1N749 是一种精密齐纳二极管，具有稳定的反向击穿电压特性，其额定齐纳电压为12V。该器件能够在较宽的温度范围内保持稳定的电压输出，适用于需要基准电压的电路。1N749 采用DO-35封装，体积小，便于在各种电子设备中使用。
　　其最大齐纳电流为20mA，功耗为500mW，确保在大多数低功耗应用中可靠运行。该二极管还具有快速响应时间和低动态电阻特性，使其在稳压电路中表现出色。此外，1N749 在制造过程中经过严格筛选，以确保其电气参数的一致性和稳定性，适用于精密电子设备中的电压调节。

应用

1N749 主要用于电压参考、稳压电源、信号调节电路以及电池供电设备中的电压监控。其稳定的12V齐纳电压使其适用于需要基准电压的比较器电路、电源监控系统以及模拟电路中的电压限制保护。此外，该器件也可用于数字电路中的电平转换和参考电压生成。
　　在工业控制设备、测量仪器、通信设备和消费类电子产品中，1N749 常用于提供稳定的电压基准，以确保系统工作的稳定性和准确性。其紧凑的封装也使其适用于空间受限的设计。