类型：快恢复整流二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：650V
　　最大直流阻断电压（VR）：650V
　　最大有效值电压（VRMS）：459V
　　最大平均整流电流（IO）：1.0A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：30A（8.3ms 单半正弦波）
　　最大正向电压降（VF）：1.3V（在 IF = 1.0A, TJ = 25°C）
　　最大反向漏电流（IR）：5μA（在 VR = 650V, TJ = 25°C）；500μA（在 VR = 650V, TJ = 150°C）
　　最大反向恢复时间（trr）：75ns（典型值）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装：SMC（DO-214AB）
　　安装方式：表面贴装

1N65L-K08-5060-R 二极管采用平面扩散工艺制造，确保了器件在高反向电压下的稳定性和可靠性。其 650V 的高反向耐压能力使其适用于全球通用输入电压范围（85VAC 至 265VAC）的电源适配器和离线式开关电源设计。该器件的最大平均整流电流为 1.0A，在自然对流冷却条件下即可满足大多数中小功率应用需求。其正向压降在 1A 电流下典型值为 1.3V，较低的 VF 有助于降低导通损耗，提高电源转换效率，尤其在轻载和中等负载条件下表现优异。
　　该二极管具备快速反向恢复特性，典型反向恢复时间 trr 为 75ns，能够有效抑制高频开关过程中因载流子复合延迟引起的反向恢复电流尖峰，从而减少电磁干扰（EMI）和开关管的应力，延长系统寿命。在高温环境下，其反向漏电流控制良好，在 150°C 结温下仍能保持低于 500μA 的水平，避免因漏电流过大导致的功耗增加和热失控风险。SMC 封装具有较大的焊盘面积，有利于散热，热阻 RθJA 典型值约为 70°C/W，可在有限风冷或自然对流条件下实现良好的热管理。
　　该器件通过 AEC-Q101 汽车级可靠性认证，适用于车载电子设备中的 DC-DC 转换器和辅助电源。其封装符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤素要求，并采用纯锡电镀端子，兼容无铅回流焊工艺。器件还具备良好的抗湿性，符合 JEDEC J-STD-020 的潮湿敏感等级 1（MSL1），可在车间环境中长期暴露而不需烘烤处理，简化了生产流程。此外，1N65L-K08-5060-R 在制造过程中经过 100% 的反向电压和漏电流测试，确保每一只器件都符合规格书要求，提供一致的产品质量和长期稳定性。

1N65L-K08-5060-R 广泛应用于各类中小功率电源系统中，包括手机充电器、笔记本电脑适配器、LED 驱动电源、智能家居控制模块和工业传感器供电单元。在反激式（Flyback）和降压式（Buck）开关电源拓扑中，常被用作输出整流二极管或钳位保护二极管，利用其快恢复特性和低漏电流优势提升效率与可靠性。在 AC-DC 整流桥的后级滤波电路中，也可作为续流或隔离二极管使用，防止电流倒灌损坏前端元件。
　　该器件同样适用于光伏逆变器中的辅助电源、小型电机驱动板和 PLC（可编程逻辑控制器）模块中的电压检测与稳压电路。由于其具备汽车级可靠性，也被用于车载娱乐系统、车载充电机（OBC）的辅助电源以及车身控制模块中。在工业自动化领域，可用于继电器驱动电路中的反电动势吸收二极管，保护开关晶体管免受高压冲击。此外，在通信设备的电源板、路由器和网络交换机的 DC-DC 模块中，1N65L-K08-5060-R 凭借其紧凑尺寸和高效率特性，成为理想的整流解决方案。其表面贴装封装也便于实现自动化生产，适用于大规模批量制造场景。

1N65L-E3\48-T
　　VS-1N65L-M3\5AT
　　MBR1650
　　FUF1N65L