类型：肖特基势垒二极管
　　封装/外壳：SOD-123
　　是否无铅：是
　　是否符合RoHS：是
　　包装方式：卷带（Tape and Reel）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　最大重复反向电压（VRRM）：65V
　　平均整流电流（IO）：200mA
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：4.0A
　　最大正向电压（VF）@ 200mA：850mV
　　最大反向漏电流（IR）@ 65V, 25°C：500nA
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　热阻抗（RθJA）：400°C/W
　　反向恢复时间（trr）：典型值为5ns

1N65G-TN3-R作为一款高性能的表面贴装肖特基二极管，其核心优势在于低正向导通压降与快速开关响应能力。在正向导通状态下，其最大正向电压仅为850mV（在200mA条件下），相较于传统的PN结二极管显著降低了功耗，提升了系统整体能效。这一特性使其特别适用于电池供电设备或对能量转换效率有严格要求的应用场合。此外，该器件的反向恢复时间极短，典型值仅为5纳秒，这意味着它能够在高频开关环境中迅速完成从导通到截止的状态切换，有效减少开关损耗并抑制电磁干扰（EMI），从而提升电源系统的稳定性和可靠性。
　　另一个关键特性是其高达65V的最大重复反向电压（VRRM），这使得1N65G-TN3-R不仅适用于低电压整流任务，还能胜任一些中等电压等级下的保护和箝位功能。例如，在USB接口、传感器信号线或微控制器I/O引脚的静电放电（ESD）防护中，它可以有效地吸收瞬态过电压脉冲，防止敏感元件受损。同时，其最大平均整流电流为200mA，足以满足大多数便携式消费类电子产品中的电流需求。
　　该器件采用SOD-123小型表面贴装封装，体积紧凑，适合高密度PCB布局，有助于缩小终端产品的尺寸。其热阻抗为400°C/W，结合-55°C至+150°C的宽工作结温范围，确保了在恶劣环境条件下的长期可靠运行。此外，产品通过AEC-Q101汽车级认证的可能性虽需查阅具体数据手册确认，但其基本电气和机械性能已能满足工业级和消费级应用的需求。总体而言，1N65G-TN3-R凭借其优异的电气特性、稳定的温度表现和环保合规性，成为众多中小功率电子系统中不可或缺的基础元器件之一。

1N65G-TN3-R因其优异的电气性能和紧凑的封装形式，被广泛应用于多种电子系统中。在便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，该二极管常用于电源路径管理，例如在电池充放电回路中实现防反接保护或在多电源输入选择电路中作为隔离二极管使用。由于其低正向压降特性，能够最大限度地减少能量损耗，延长设备续航时间。
　　在电源管理系统中，1N65G-TN3-R可用于DC-DC转换器的续流二极管或同步整流辅助二极管，特别是在非同步降压变换器中，它承担着在主开关关闭期间为电感电流提供回流通路的重要角色。其快速的反向恢复能力有效减少了开关节点的振铃现象，提升了电源转换效率，并降低了电磁干扰风险。
　　此外，该器件还常见于信号线路的保护电路中，例如在USB、I2C、SPI等通信接口上用于防止因热插拔或静电放电引起的电压反冲或瞬态过压。其低漏电流（最大500nA）保证了在待机或低功耗模式下不会引入额外的静态电流消耗，这对节能设计至关重要。
　　在工业控制和汽车电子领域，1N65G-TN3-R可用于传感器信号调理电路中的钳位保护，防止感应电压或负载突变导致的电压尖峰损坏后续电路。其宽温工作范围和高可靠性也使其适用于环境条件较为严苛的户外设备或车载模块。总之，该器件凭借其多功能性和高性价比，已成为现代电子设计中广泛应用的基础元件之一。

MMBD7000LT1G
　　RB751S-40
　　BAS40-04W