类型：硅平面整流二极管
　　极性：单向
　　最大重复反向电压（VRRM）：650V
　　最大直流阻断电压（VR）：650V
　　最大正向平均整流电流（IF(AV)）：1.0A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：30A（8.3ms半正弦波）
　　最大正向电压降（VF）：1.2V @ 1.0A
　　最大反向漏电流（IR）：5μA @ 650V（25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOD-123
　　热阻（RθJA）：约200°C/W
　　反向恢复时间（trr）：≤ 500ns

1N65G-TMA-T具备优异的电气性能和稳定的物理结构，其核心特性之一是高达650V的最大重复反向电压，使其能够在高压环境中可靠运行，适用于开关电源、AC-DC适配器、LED驱动电源等多种需要高耐压整流的应用场合。该二极管采用先进的硅扩散工艺制造，确保了PN结的高度均匀性和长期稳定性，从而提升了器件的整体寿命和抗老化能力。
　　其SOD-123小型化表面贴装封装不仅节省PCB空间，还支持自动化贴片生产，提高了组装效率并降低了制造成本。该封装具有良好的散热性能，在正常工作条件下可有效将结温控制在安全范围内，避免因过热导致的性能下降或失效。
　　该器件的最大正向平均整流电流为1.0A，能够满足大多数中低功率电源系统的电流需求。同时，它能承受高达30A的峰值浪涌电流（持续时间为8.3ms的标准半正弦波），这表明其在面对电网波动、开机冲击或雷击感应等瞬态过流事件时具备较强的耐受能力，增强了系统的鲁棒性。
　　正向导通压降典型值为1.2V（在1A电流下），虽然略高于肖特基二极管，但由于其基于硅PN结构的设计，具有更高的反向耐压能力和更好的高温稳定性。此外，其反向恢复时间不超过500ns，属于快恢复二极管范畴，有助于减少高频开关过程中的能量损耗和电磁干扰，提升整体电源转换效率。
　　1N65G-TMA-T的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应极端环境下的应用需求，无论是寒冷地区还是高温密闭空间均可稳定工作。器件符合RoHS环保要求，无铅且绿色环保，适用于现代电子产品对可持续发展的高标准。

1N65G-TMA-T广泛应用于各类电力电子与消费电子设备中，主要用于交流电转直流电的桥式整流电路或单相半波/全波整流模块中，常见于手机充电器、笔记本电脑适配器、LED照明电源、小型家电控制器等产品内部。在这些应用中，它负责将输入的交流电压转换为脉动直流电压，供后续滤波和稳压电路处理。
　　此外，该二极管也常用于反极性保护电路中，防止电池或外部电源接反而损坏敏感元器件；在继电器或电机驱动电路中作为续流二极管（Flyback Diode），用以泄放感性负载断电时产生的反向电动势，避免高压击穿晶体管或IC。
　　在开关模式电源（SMPS）拓扑结构如反激式（Flyback）、正激式（Forward）变换器中，1N65G-TMA-T可用于次级侧整流环节，尤其适用于输出功率较低的隔离型电源设计。由于其较快的反向恢复时间和较高的耐压能力，有助于提高转换效率并降低EMI噪声水平。
　　工业自动化设备中的传感器供电单元、PLC信号调理电路、通信基站电源模块等也常采用此类二极管进行电压钳位和瞬态抑制辅助功能。同时，因其小型化封装优势，特别适合高度集成化的便携式设备和高密度PCB布局场景，如智能仪表、物联网终端、无线路由器等产品中均有广泛应用。

MUR160T1G
　　1N650G
　　HER107G
　　FR107
　　ES1D