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1N60L-TF 发布时间 时间:2025/12/27 8:41:37 查看 阅读:29

1N60L-TF是一款小信号肖特基二极管,广泛应用于低电压、高频开关电路中。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有较低的正向导通压降和快速的反向恢复时间,适用于高效率的整流和信号检波场合。其封装形式通常为SOD-123或类似的小型表面贴装封装,适合在空间受限的印刷电路板上使用。1N60L-TF的命名中,“1N”代表二极管系列,“60”表示其耐压等级约为60V,“L”可能表示低漏电流或特定特性版本,“-TF”通常代表环保无铅且符合RoHS标准的封装形式。该器件在便携式电子设备、电源管理模块、DC-DC转换器以及各类消费类电子产品中有着广泛应用。由于其优异的开关性能和热稳定性,1N60L-TF能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电气特性,是现代电子设计中常用的通用型肖特基二极管之一。

参数

类型:肖特基二极管
  最大重复反向电压(VRRM):60V
  平均整流电流(IO):150mA
  峰值正向浪涌电流(IFSM):1A
  正向电压降(VF):典型值0.45V @ 10mA,最大值0.6V @ 10mA
  反向漏电流(IR):最大5μA @ 60V,25°C
  反向恢复时间(trr):≤ 4ns
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +125°C
  存储温度范围(TSTG):-55°C 至 +150°C
  封装形式:SOD-123

特性

1N60L-TF肖特基二极管的核心优势在于其低正向导通电压与极快的开关速度,这使其在低功率高频应用中表现尤为出色。该器件采用肖特基势垒技术,利用金属-半导体结而非传统的PN结,从而显著降低了正向压降,通常在10mA工作电流下仅为0.45V左右,最高不超过0.6V。这一特性有助于减少功耗,提高电源转换效率,特别适合用于电池供电设备和节能型电源系统。此外,由于肖特基二极管没有少数载流子存储效应,其反向恢复时间极短,典型值小于4纳秒,这意味着在高频开关过程中几乎不会产生反向恢复电荷,避免了由此引起的开关损耗和电磁干扰问题,提升了系统的整体稳定性。
  该器件的最大重复反向电压为60V,能够满足大多数低压直流电路的绝缘需求,例如在5V、12V或24V系统中作为防反接、续流或隔离二极管使用。其平均整流电流额定值为150mA,峰值浪涌电流可达1A,具备一定的瞬态过载能力,可在短时间内承受较高的电流冲击,增强了电路的可靠性。反向漏电流控制在5μA以内(在60V、25°C条件下),虽然相较于硅PN结二极管略高,但在同类肖特基产品中属于较低水平,尤其是在高温环境下仍能保持较好的漏电控制性能。
  1N60L-TF采用SOD-123小型表面贴装封装,体积小巧,便于自动化贴片生产,适用于高密度PCB布局。该封装具有良好的热传导性能和机械强度,能够在-55°C至+125°C的结温范围内稳定工作,适应严苛的环境条件。同时,器件符合RoHS指令要求,不含铅等有害物质,属于绿色环保产品,适用于出口型电子产品和对环保有严格要求的应用场景。

应用

1N60L-TF肖特基二极管广泛应用于多种低功率电子电路中。常见用途包括在DC-DC升压或降压转换器中作为续流二极管或整流元件,利用其低正向压降特性提升转换效率,延长电池使用寿命。在便携式设备如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和可穿戴设备中,该器件常用于电源路径管理、电压隔离和反向极性保护电路。此外,在信号检波、箝位电路、逻辑电平转换和高频脉冲整流等模拟与数字混合电路中,1N60L-TF凭借其快速响应能力和低噪声特性表现出色。它也常被用于开关电源中的次级侧整流、LED驱动电路中的防倒灌设计以及各类消费类电子产品的电源模块中。由于其小型化封装和高可靠性,该器件同样适用于汽车电子中的低功耗控制单元、工业传感器模块以及通信设备中的接口保护电路。

替代型号

BAT54C-WT\BAT54C-S

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