时间：2025/12/27 8:04:36
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1N60KG-TN3-R是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装肖特基势垒二极管，采用SOD-923封装形式。该器件专为高频开关应用而设计，具备低正向电压降和快速反向恢复时间的特性，使其在高效率电源转换系统中表现出色。1N60KG-TN3-R的额定平均整流电流为600mA，最大重复峰值反向电压为60V，适用于多种低压直流电路中的整流、续流和反向极性保护功能。该二极管符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。其小型化封装结构特别适合空间受限的应用场景，如便携式消费类电子设备、通信模块以及便携式工业控制系统。
该型号采用卷带包装（Tape and Reel），便于自动化贴片生产流程，提升制造效率并降低组装成本。器件工作结温范围通常在-55°C至+150°C之间，能够在较宽的温度环境下稳定运行，增强了其在严苛工况下的可靠性。此外，1N60KG-TN3-R具有良好的热稳定性与抗浪涌能力，在瞬态负载变化下仍能保持稳定的电气性能。由于其优异的开关特性和紧凑的物理尺寸，这款二极管广泛应用于电池供电设备、DC-DC转换器、LED驱动电路及各类低功率适配器中，是替代传统玻璃封装小信号二极管的理想选择。
类型：肖特基二极管
封装/外壳：SOD-923
是否无铅：是
是否符合RoHS：是
平均整流电流：600mA
峰值重复反向电压：60V
正向压降（典型值）：640mV @ 300mA, 1V @ 600mA
最大反向漏电流：1μA @ 60V, 25°C
工作结温范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
反向恢复时间：≤10ns（典型值）
安装类型：表面贴装（SMT）
1N60KG-TN3-R的核心特性之一是其采用肖特基势垒结构，实现了远低于传统PN结二极管的正向导通压降。在300mA的工作电流下，其典型正向压降仅为640mV，而在满载600mA时也仅约1V。这一低Vf特性显著降低了导通损耗，提高了电源系统的整体能效，尤其在低电压、高电流输出的DC-DC变换器中效果尤为明显。同时，由于肖特基二极管属于多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此具备极快的开关速度和极短的反向恢复时间（通常小于10ns）。这使得它在高频开关环境中不会产生明显的反向恢复电流尖峰，从而减少电磁干扰（EMI）并避免对主开关管造成额外应力。
另一个关键优势在于其SOD-923超小型表面贴装封装，外形尺寸仅为约1.0mm x 0.8mm x 0.5mm，极大节省了PCB布局空间，非常适合用于智能手机、可穿戴设备、无线耳机等追求极致轻薄化的终端产品。尽管体积微小，但该封装仍具备良好的散热性能和机械强度，能够承受回流焊工艺的高温冲击。此外，器件具有较低的寄生电容，有助于进一步提升高频响应能力，适用于射频检测或高速逻辑电平箝位等特殊应用场景。
从可靠性角度看，1N60KG-TN3-R经过严格的质量控制流程，具备高抗湿性、耐热循环能力和长期稳定性。其最大反向漏电流在室温下仅为1μA，在高温条件下也能保持相对稳定，确保在待机或低功耗模式下不会因漏电导致不必要的能量损耗。结合其-55°C至+150°C的宽工作结温范围，该器件可在极端气候条件或密闭高热环境中可靠运行。综合来看，1N60KG-TN3-R凭借其高性能、小尺寸与高可靠性，成为现代高效能、微型化电子系统中不可或缺的关键元件。
1N60KG-TN3-R广泛应用于各类需要高效、紧凑型整流解决方案的电子系统中。在便携式消费电子产品领域，常见于手机、平板电脑、智能手表和蓝牙耳机中的电池充电管理电路与电源路径控制模块，作为防反接和能量回馈通路的关键组件。在电源管理系统中，该二极管常被用作同步整流架构中的辅助续流二极管，或在非同步降压（Buck）、升压（Boost）及反激式（Flyback）转换器中承担输出整流任务，特别是在输入电压较低（如3.3V或5V）且开关频率较高的场合表现突出。
此外，它也适用于各类低功率AC-DC适配器、USB供电设备（包括PD和QC协议支持的产品）、LED照明驱动电源以及嵌入式微控制器单元（MCU）的电源去耦网络中，提供可靠的电压箝位和瞬态抑制功能。在通信接口电路中，1N60KG-TN3-R可用于ESD保护和信号线电平整形，利用其快速响应特性防止瞬态过压损坏敏感IC。工业控制领域中，该器件可用于传感器信号调理电路、隔离电源反馈回路以及PLC模块内部的局部稳压单元。得益于其小型封装和自动化生产能力，它同样适用于高密度SMT主板、物联网节点设备和医疗可穿戴装置等对空间和功耗高度敏感的设计场景。
BAS40-04W, PMEG2005EH, SS12
