类型：肖特基二极管
　　极性：单路
　　最大重复反向电压（VRRM）：60V
　　最大平均正向整流电流（IF(AV)）：300mA
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：5A
　　最大正向电压（VF）：650mV @ 300mA
　　最大反向漏电流（IR）：1μA @ 60V
　　反向恢复时间（trr）：4ns
　　工作结温范围（TJ）：-65°C ~ +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOD-123
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　湿度敏感等级（MSL）：1级（
　　无限车间寿命）
　　符合RoHS标准：是
　　无铅状态：无铅/符合RoHS要求

1N60G-AA3-R的核心特性之一是其采用肖特基势垒技术，这种技术基于金属与n型半导体之间的整流接触，显著降低了正向导通电压，通常在300mA电流下仅为650mV左右，远低于传统PN结二极管的约0.7V~1V。这一低VF特性意味着更少的能量损耗和更高的转换效率，特别适用于电池供电或对能效要求较高的系统。此外，由于肖特基二极管属于多数载流子器件，不存在少数载流子的存储效应，因此其开关速度极快，反向恢复时间（trr）典型值仅为4ns，能够在高频环境下实现快速切换，有效减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。这对于高频DC-DC变换器、同步整流辅助电路以及射频信号解调等应用至关重要。
　　另一个关键特性是其热稳定性和可靠性设计。尽管肖特基二极管通常存在较高的反向漏电流问题，但1N60G-AA3-R通过优化掺杂浓度和界面工艺，在保持低VF的同时将最大反向漏电流控制在1μA（@60V, 25°C），确保了在正常工作条件下的稳定性。同时，其工作结温可达+125°C，允许在较高环境温度下持续运行，增强了在紧凑空间内的适应能力。SOD-123封装不仅体积小巧（约2.7mm x 1.8mm x 1.1mm），还具备良好的散热性能，有助于热量从芯片传导至PCB，从而提升整体系统的热管理效率。
　　此外，该器件具备优良的机械强度和焊接兼容性，支持回流焊和波峰焊工艺，适用于现代SMT生产线。其MSL 1级评级表明它对湿度不敏感，无需干燥储存或烘烤处理，降低了生产和仓储成本。综合来看，1N60G-AA3-R以其高性能、小尺寸、高可靠性和易于集成的特点，成为现代电子设计中理想的通用型高速开关二极管解决方案。

1N60G-AA3-R因其优异的高频响应能力和低正向压降，广泛应用于多种电子系统中。在电源管理领域，常用于低压DC-DC转换器中的续流二极管或防倒灌二极管，尤其在升压（Boost）、降压（Buck）及反激式拓扑中发挥关键作用，能够有效提升转换效率并降低温升。在便携式设备如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中，该二极管用于电池充放电路径的隔离与保护，防止反向电流损坏电源管理系统。此外，在AC-DC适配器的小信号整流环节中，1N60G-AA3-R也可作为次级侧整流元件，替代传统快恢复二极管以提高效率。
　　在通信与信号处理电路中，1N60G-AA3-R被用作高频信号检波器或包络检测器，得益于其快速响应时间和低阈值电压，能够准确提取调制信号，常见于无线遥控、红外接收模块和传感器接口电路中。同时，该器件也适用于各类保护电路，例如ESD保护、反接保护和瞬态电压抑制辅助路径，帮助提升系统的鲁棒性。在数字逻辑电路中，可用于钳位二极管网络，限制输入/输出引脚电压超出安全范围，防止CMOS器件因过压而损坏。
　　工业控制和汽车电子中，虽然其电流容量有限，但在低功率信号调理模块、传感器偏置电路和微控制器外围电路中仍有广泛应用。例如，在车载信息娱乐系统的电源轨切换电路中，1N60G-AA3-R可用于多电源间的无缝切换与隔离。总之，凭借其小型化、高效能和高可靠性的特点，1N60G-AA3-R已成为现代电子产品中不可或缺的基础元器件之一。

BAT54C-WTBR
　　RB520S-40T1G
　　SK11A
　　1N5711WS