类型：肖特基二极管
　　极性：单路
　　最大重复反向电压（VRRM）：60V
　　最大直流阻断电压（VR）：60V
　　平均整流电流（IO）：300mA
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：8A
　　最大正向电压（VF）：@ IF=10mA时典型值0.575V；@ IF=150mA时最大值0.95V
　　最大反向漏电流（IR）：@ VR=60V、TA=25°C时最大1.0μA；高温条件下可能上升至5.0μA
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装/外壳：SOD-123FL
　　安装类型：表面贴装（SMT）
　　引脚数：2
　　湿度敏感等级（MSL）：1（无限额）
　　反向恢复时间（trr）：≤ 4ns（典型值）

1N60G-A-AA3-R具备出色的高频开关特性，这主要归功于其肖特基势垒结构，该结构利用金属-半导体接触形成整流效应，避免了传统PN结中存在的少数载流子存储效应，从而显著缩短了反向恢复时间（trr），典型值小于4纳秒。这一特性使其非常适合用于高频整流场合，如开关模式电源（SMPS）、DC-DC变换器中的续流或箝位电路，能够有效减少开关损耗并提升整体转换效率。同时，由于其快速响应能力，在高速数字逻辑电路或脉冲信号处理中也可作为钳位或保护元件使用。
　　该器件具有较低的正向导通压降（VF），在10mA工作电流下典型值仅为0.575V，即使在150mA条件下也控制在0.95V以内。低VF意味着更少的能量以热的形式耗散，提高了系统的能效表现，尤其对于电池供电设备而言至关重要。此外，低VF还能减少线路压降，提高输出电压稳定性，增强系统整体性能。结合其300mA的平均整流电流能力，这款二极管可在轻负载条件下提供高效且稳定的电流传输路径。
　　1N60G-A-AA3-R采用SOD-123FL超小型表面贴装封装，外形紧凑，尺寸约为2.7mm x 1.6mm x 1.1mm，极大节省了PCB空间，适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他高度集成的便携式电子产品。该封装还具有良好的热传导性能，配合适当的PCB铜箔设计，可有效将结温传递至外部环境，确保长时间工作的可靠性。器件满足JEDEC标准的机械强度要求，抗振动和冲击能力强，适合严苛的应用环境。
　　从可靠性角度看，1N60G-A-AA3-R经过严格的质量控制流程，具备高达150°C的最大结温，允许其在高温环境中长期运行而不发生性能退化。同时，其反向漏电流在常温下不超过1μA，在高温条件下也能控制在5μA以内，表现出优异的阻断能力。这种低漏电特性有助于降低待机功耗，延长设备续航时间。另外，该器件通过AEC-Q101汽车级可靠性测试的可能性较高（需查证具体批次），因此也可用于车载电子系统中的非动力域应用。

1N60G-A-AA3-R广泛应用于各类需要小电流、高频率整流功能的电子电路中。在便携式消费电子产品中，例如手机、蓝牙耳机、智能手表等，它常被用作充电输入端的极性保护二极管，防止因电池反接导致的损坏。由于其低正向压降和快速响应特性，该器件也适用于USB接口的电源路径管理，确保数据线插入时不会产生过大压降影响供电质量。
　　在电源管理系统中，1N60G-A-AA3-R可用于DC-DC升压或降压转换器中的续流二极管（Flyback Diode），在开关管关断期间为电感电流提供通路，维持能量连续性。相比普通整流二极管，其快速恢复能力和低VF可显著提升转换效率，减少发热问题。此外，在低功率AC-DC适配器中，它可用于次级侧的小信号整流环节，特别是在多路输出设计中为辅助绕组提供整流功能。
　　工业控制领域中，该二极管可用于传感器信号调理电路中的钳位保护，防止瞬态过电压损坏后级IC。在通信模块（如Wi-Fi模组、LoRa收发器）中，可用于射频信号检测或包络检波电路，利用其非线性伏安特性实现信号解调。LED照明驱动方案中，也可作为防倒灌二极管使用，避免多个LED支路之间的相互干扰。
　　由于其SOD-123FL封装支持自动贴片工艺，因此特别适合大规模自动化生产，广泛用于智能家居设备、物联网终端、无线充电接收器、小型电源适配器等产品中。此外，因其符合RoHS和无卤素要求，满足国际环保法规，适用于出口型电子产品设计。

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　　 "BAT54C",
　　 "RB520S30",
　　 "SS14",
　　 "SK14",
　　 "AO3401A"
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