类型：肖特基二极管
　　材料：锗（Ge）
　　最大重复反向电压（VRRM）：60V
　　最大直流阻断电压（VR）：60V
　　平均整流电流（IO）：150mA
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：500mA（8.3ms单半正弦波）
　　正向压降（VF）：0.3V @ 10mA
　　反向漏电流（IR）：5μA @ 25°C, 60V
　　工作结温范围（TJ）：-55℃ ~ +125℃
　　存储温度范围（TSTG）：-55℃ ~ +125℃
　　封装形式：DO-35（玻璃轴向封装）

1N60E作为一种锗基肖特基势垒二极管，具备显著的低正向导通电压特性，典型值仅为0.25V至0.3V，在10mA工作电流下即可实现高效导通。这一特性使其在低电压、低功耗系统中极具优势，尤其是在电池供电设备或能量采集系统中，能够最大限度地减少能量损耗，提高整体效率。由于其基于锗材料的PN结构而非传统金属-半导体肖特基金属接触，虽然严格意义上不完全等同于现代意义上的肖特基二极管，但在实际应用中仍被归类为“类肖特基”器件，并继承了快速开关和低压降的优点。
　　该器件的反向恢复时间极短，几乎可以忽略不计，这意味着在高频开关环境下不会产生明显的反向恢复电荷，从而避免了由此引起的开关损耗和电磁干扰问题。这种特性使其非常适合用于高频整流电路，如便携式收音机中的AM信号检波、高频DC-DC变换器的同步整流替代方案以及脉冲宽度调制（PWM）电源中的续流路径。此外，1N60E在小信号处理方面表现优异，可用于模拟乘法器、峰值检测电路和自动增益控制（AGC）系统中作为非线性元件。
　　尽管1N60E的额定反向耐压为60V，但其反向漏电流相对较高，尤其在高温环境下可能达到数十微安级别，因此在高阻抗或精密测量电路中需谨慎使用。为了确保长期可靠性，建议在实际设计中将其工作电压限制在额定值的70%以内，并采取适当的热管理措施。此外，该器件对静电放电（ESD）较为敏感，安装时应遵循防静电操作规范。总体而言，1N60E是一款经典且可靠的低功耗高频二极管，凭借其成熟的技术、低廉的成本和广泛的可获得性，至今仍在许多模拟和混合信号电路中发挥重要作用。

1N60E广泛应用于各类需要低电压降和快速响应的小信号整流与检波电路中。一个典型的应用场景是调幅（AM）无线电接收机中的包络检波电路，其中1N60E利用其低阈值电压特性，能够有效提取微弱射频信号中的音频信息，即使输入信号幅度较低也能实现清晰的解调输出，因此常见于晶体收音机和简易广播接收装置中。
　　在电源管理系统中，1N60E常用于低压直流电路中的续流二极管或反向电压保护元件，例如在继电器驱动电路或小型电机控制模块中，防止感性负载断电时产生的反电动势损坏主控芯片。此外，在一些低功率DC-DC升压或降压转换器中，当同步整流控制器不可用时，1N60E可作为次级整流元件以降低导通损耗，提升转换效率。
　　该器件也适用于信号整形与钳位电路，如在脉冲信号处理系统中用于限制电压幅度，保护后级敏感元件；或在模拟采样保持电路中作为快速开关元件。由于其良好的频率响应能力，1N60E还可用于高频信号的混频与解调，在通信前端电路中实现简单的非线性处理功能。此外，在太阳能充电板的小型演示套件或教育实验平台中，1N60E常被用作防逆流二极管，防止夜间电池向光伏板反向放电。
　　得益于其小巧的玻璃封装和直插式结构，1N60E特别适合手工焊接和原型开发，因此在教学实验、电子爱好者项目及维修替换中非常受欢迎。虽然在现代高密度SMT设计中逐渐被表面贴装型低VF二极管取代，但在许多低成本、低功耗和高频模拟应用中，1N60E依然保持着不可替代的地位。

BAT54C
　　1N60
　　1N34A
　　BAS70