型号：1N6097
　　器件类型：齐纳二极管
　　封装形式：DO-41
　　齐纳电压（Vz）：15V @ 20mA
　　最大齐纳阻抗（Zzt）：30Ω @ 20mA
　　额定功率：1W
　　最大正向电流（If）：200mA
　　反向漏电流（Ir）：< 1μA @ Vr = 12V
　　工作结温范围：-65°C 至 +200°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +200°C
　　温度系数：+8.5 mV/°C（典型值）

1N6097 齐纳二极管的核心特性之一是其精确且稳定的齐纳击穿电压。在测试电流为 20mA 的条件下，其标称齐纳电压为 15V，偏差较小，确保了在精密稳压应用中的可靠表现。该器件的动态阻抗较低，典型值不超过 30Ω，这意味着即使负载电流发生波动，输出电压也能保持高度稳定，有效减少电压纹波和噪声对敏感电路的影响。低动态阻抗还提升了其在反馈式稳压电路或基准电压源中的适用性。
　　该齐纳二极管具备高达 1W 的最大耗散功率，使其能够在较宽的电流范围内安全运行。在良好的散热条件下，它可承受短时过载而不损坏，增强了系统的鲁棒性。同时，其正向导通特性良好，正向压降约为 0.7V，类似于普通硅二极管，可在交流信号整流或极性保护中辅助使用。
　　1N6097 拥有出色的温度稳定性，其温度系数为 +8.5mV/°C，在 15V 齐纳电压附近处于相对理想的区域。虽然正温度系数意味着电压随温度升高略有上升，但在许多应用中可通过外围电路补偿。此外，器件可在极端温度环境下工作（-65°C 至 +200°C），适用于高温工业环境或航空航天等严苛场合。
　　DO-41 封装不仅提供了足够的表面积以利于散热，而且结构坚固，抗机械应力能力强。该封装广泛标准化，便于手工焊接或自动化装配，兼容大多数 PCB 设计。1N6097 还具有低反向漏电流特性，在未达到击穿电压前几乎不导通，减少了待机状态下的功耗，提高了能效。

1N6097 齐纳二极管常用于构建简单的并联稳压电路，作为低压直流电源中的电压参考源。在没有专用稳压IC的小功率系统中，它可以与限流电阻配合使用，为微控制器、传感器或其他低功耗器件提供稳定的供电电压。例如，在 12V 或 24V 工业控制系统中，利用 1N6097 可生成精确的 15V 参考电平，供比较器或运算放大器使用，实现电压监测与阈值判断功能。
　　在模拟电路中，1N6097 可作为基准电压元件，用于校准模数转换器（ADC）或数模转换器（DAC）的输入范围。其稳定的电压输出有助于提升测量精度，特别是在便携式仪器或数据采集系统中。此外，该器件也适用于浪涌抑制和瞬态电压保护场景，当线路中出现电压尖峰时，齐纳二极管迅速导通，将多余能量泄放到地，防止后级元件受损。
　　在通信设备中，1N6097 可用于偏置电路或电平移位网络，确保信号在规定电压范围内传输。其高可靠性使其适合部署在户外或恶劣环境中运行的设备中，如监控摄像头、远程终端单元（RTU）等。此外，该器件还可用于电池充电管理电路中，作为过压检测节点的一部分，防止锂电池或铅酸电池因充电电压过高而损坏。
　　教育和实验领域也是 1N6097 的重要应用场景。由于其参数明确、价格低廉且易于获取，常被用作电子工程教学实验中的基本元件，帮助学生理解齐纳效应、稳压原理及非线性器件特性。

BZX85C15
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　　1N4744A