您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > 1N60-KW

1N60-KW 发布时间 时间:2025/12/27 8:44:17 查看 阅读:11

1N60-KW是一款硅材料制成的表面贴装肖特基势垒二极管,广泛应用于低压、高频整流场合。该器件采用SOD-123FL封装,具有紧凑的体积和优良的热性能,适合高密度PCB布局。1N60-KW的命名中,“1N”表示其为美国电子工业联盟(EIA)标准下的二极管系列,“60”代表其特定的电压与电流等级,“KW”通常为制造商用于标识封装形式或产品系列的后缀。该二极管具备较低的正向导通压降(VF),典型值在0.2V至0.4V之间,这使其在能量转换效率要求较高的应用中表现优异。同时,其反向恢复时间极短,接近于零,适用于高频开关电源、DC-DC转换器、续流与极性保护电路等场景。1N60-KW的工作温度范围通常为-55°C至+150°C,能够适应严苛的环境条件。由于其低功耗和高可靠性,该器件被广泛用于消费类电子产品、便携式设备、通信模块以及工业控制设备中。

参数

类型:肖特基势垒二极管
  封装/外壳:SOD-123FL
  是否无铅:是
  是否环保:符合RoHS标准
  最大重复反向电压(VRRM):60V
  最大直流阻断电压(VR):60V
  平均整流电流(IO):200mA(0.2A)
  峰值正向浪涌电流(IFSM):1.25A(8.3ms单半正弦波)
  最大正向压降(VF):0.45V @ 100mA, 25°C
  最大反向漏电流(IR):5μA @ 60V, 25°C;100μA @ 60V, 125°C
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
  存储温度范围(TSTG):-55°C 至 +150°C
  热阻抗(RθJA):约450°C/W(典型值,依赖PCB布局)
  反向恢复时间(trr):≤ 5ns(典型值)

特性

1N60-KW的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构,这种金属-半导体接触机制显著降低了正向导通压降,相比传统PN结二极管可减少约30%-50%的能量损耗,从而提升系统整体效率。该特性在电池供电设备中尤为重要,有助于延长续航时间。此外,由于肖特基二极管不存在少数载流子存储效应,其反向恢复时间极短,通常小于5纳秒,能够在高频开关环境下快速切换,有效抑制电压尖峰和电磁干扰(EMI),提升电源系统的稳定性。
  该器件的SOD-123FL封装是一种小型化表面贴装解决方案,尺寸约为2.7mm x 1.6mm x 1.1mm,极大节省了PCB空间,适用于紧凑型设计需求。封装材料具有良好的导热性和机械强度,配合优化的内部引线结构,确保器件在连续工作条件下仍能保持较低的结温上升。尽管其平均整流电流仅为200mA,但在瞬态负载下可承受高达1.25A的短时浪涌电流,具备一定的过载能力。
  1N60-KW具备出色的温度稳定性,其反向漏电流随温度升高而增加,但在125°C高温下仍能控制在100μA以内,满足大多数工业级应用要求。器件符合RoHS环保标准,不含铅、镉、六价铬等有害物质,适用于出口型电子产品。此外,其宽泛的工作与存储温度范围使其可在极端气候条件下稳定运行,如汽车电子、户外通信设备等应用场景。制造商通常提供详细的可靠性测试数据,包括高温反偏(HTRB)、高温存储(HTSL)和温度循环测试结果,确保长期使用的可靠性。

应用

1N60-KW常用于低压直流电源系统中的整流与防反接保护电路,例如USB供电路径管理、锂电池充电回路中的隔离二极管,防止电池反向放电损坏前端电源。在DC-DC转换器中,它可作为同步整流的辅助二极管或用于自举电路中的电荷泵整流元件,提升转换效率。由于其快速响应特性,也适用于高频信号检波、脉冲整形及逻辑电平钳位电路,在数字通信接口中起到保护作用。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机中,1N60-KW因其小尺寸和低功耗特性被广泛用于电源管理单元(PMU)周边。此外,在工业传感器模块、智能仪表、LED驱动电源中,该器件可用于续流二极管,抑制感性负载断开时产生的反电动势,保护主控芯片。在汽车电子领域,尽管其电流能力有限,但仍可用于低功率车载模块的电源路径切换与备份电源切换电路中。

替代型号

BAT54C
  MBR0520
  SS12

1N60-KW推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价