类型：肖特基势垒二极管
　　极性：单二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：60V
　　最大正向电流（IF）：300mA
　　峰值脉冲正向电流（IFSM）：500mA
　　最大正向电压降（VF）：0.45V @ 150mA
　　最大反向漏电流（IR）：10μA @ 60V
　　反向恢复时间（trr）：4ns
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +125℃
　　封装类型：SOD-323
　　安装类型：表面贴装（SMD）

1N60-HC2的核心特性之一是其低正向导通压降，典型值在0.45V左右（在150mA条件下），显著低于传统PN结二极管的0.7V压降。这一特性使得器件在导通状态下功耗更低，从而提高了电源系统的整体效率，尤其在低输出电压、高电流密度的应用中优势明显。例如，在3.3V或5V的DC-DC降压电路中，使用1N60-HC2可以有效减少能量损耗，降低温升，延长设备使用寿命。
　　另一个关键特性是其极短的反向恢复时间（trr），典型值仅为4ns。由于肖特基二极管是多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此其开关速度远高于普通整流二极管。这一特性使其非常适合用于高频开关电源、PWM控制电路和高速整流应用，能够有效减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。在同步整流尚未普及的低成本设计中，1N60-HC2常被用作续流二极管以提升转换效率。
　　该器件采用SOD-323封装，体积小巧，典型尺寸约为1.7mm x 1.25mm x 1.0mm，非常适合高密度PCB布局和自动化贴片生产。其表面贴装设计便于回流焊工艺，提升了生产效率和产品一致性。同时，器件具备良好的热传导性能，能够在-55℃至+125℃的结温范围内稳定工作，适用于各种严苛环境下的电子设备。
　　1N60-HC2还具有较低的反向漏电流，典型值在60V反向电压下不超过10μA。虽然肖特基二极管的漏电流通常高于PN结二极管，但该型号通过优化芯片结构和材料工艺，将漏电流控制在合理范围内，确保在高温环境下仍能保持较好的关断性能。此外，器件具备一定的浪涌电流承受能力（IFSM=500mA），可在瞬态负载变化时提供可靠的保护功能。

1N60-HC2广泛应用于各类低功率、高频开关电源系统中，尤其是在空间受限的便携式电子设备中表现突出。常见应用场景包括手机、平板电脑、蓝牙耳机等消费类电子产品的充电管理电路，作为输入防反接或输出整流二极管使用，防止电池反接损坏主控芯片。在这些应用中，其低正向压降和小封装特性极大地提升了系统效率和集成度。
　　在DC-DC转换器中，1N60-HC2常被用作续流二极管（Freewheeling Diode）或阻塞二极管（Blocking Diode），特别是在非同步Buck或Boost电路中。当主开关管关断时，电感储能需通过该二极管释放，形成续流通路。由于其快速的反向恢复能力和低导通损耗，能够显著降低开关过程中的能量损耗，提高转换效率，减少发热。
　　该器件也适用于LED驱动电路中的保护和整流环节。例如，在低压LED照明模块中，1N60-HC2可用于防止电流倒灌，确保LED单向导通，提升系统稳定性。此外，在信号整流、电压钳位、ESD保护等模拟电路中，该二极管也能发挥其快速响应和低噪声的优势。
　　在工业控制和通信设备中，1N60-HC2可用于隔离不同电源域、实现电平转换或构建简单的OR-ing电路。其高可靠性和宽温工作范围使其能够在工业现场较为恶劣的环境中长期稳定运行。此外，由于其符合RoHS环保标准，适用于出口型电子产品和绿色能源项目。

BAT54C
　　BAS70-04
　　MBR0520
　　RB520S-40
　　SS12