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1N5949B 发布时间 时间:2025/7/8 15:57:16 查看 阅读:13

1N5949B是一种硅雪崩整流二极管,属于高压瞬态电压抑制器(TVS)系列。该器件主要用于保护敏感电子电路免受因静电放电(ESD)、感应雷击和开关瞬变引起的过压损害。1N5949B具有快速响应时间、低电容以及高浪涌电流能力,使其非常适合在通信设备、工业控制、家用电器以及其他需要可靠过压保护的领域中使用。
  该器件采用轴向引线封装形式,便于安装和维护,同时具备良好的热稳定性和可靠性。

参数

类型:硅雪崩整流二极管
  工作电压(VRWM):270V
  峰值脉冲功率(PPP):600W
  最大反向电流(IR):1μA
  箝位电压(VC):435V
  结电容(CJ):8pF
  响应时间(typ):1ps
  最大浪涌电流(Ipp):18.3A
  存储温度范围:-65℃至+200℃
  工作温度范围:-65℃至+150℃

特性

1N5949B具备以下关键特性:
  1. 高电压保护能力,适用于270V的工作电压环境。
  2. 快速响应时间(典型值为1皮秒),可以迅速抑制瞬态过电压。
  3. 低结电容(8pF),适合高频应用场合。
  4. 高浪涌电流承受能力(18.3A),确保在恶劣环境下依然能够有效保护后级电路。
  5. 良好的热稳定性及长期可靠性,能够在高温或低温条件下正常工作。
  6. 小型轴向引线封装设计,简化了PCB布局和装配过程。
  7. 符合RoHS标准,环保且安全。

应用

1N5949B广泛应用于以下领域:
  1. 通信系统中的电源线和信号线保护。
  2. 工业自动化设备的输入/输出端口防护。
  3. 汽车电子系统的过压保护模块。
  4. 家用电器如电视、空调等产品的交流电源接口防护。
  5. 数据传输线路的ESD保护。
  6. 医疗设备及其他精密仪器的瞬态电压抑制解决方案。
  总之,任何可能暴露于瞬态电压威胁下的电子设备都可以考虑使用1N5949B进行防护设计。

替代型号

1N5950B, P6KE27CA, SMAJ27A

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1N5949B参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格278 : ¥27.06942散装
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz)100 V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大值1.5 W
  • 阻抗(最大值)(Zzt)250 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏1 μA @ 76 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.2 V @ 200 mA
  • 工作温度-55°C ~ 200°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳DO-204AL,DO-41,轴向
  • 供应商器件封装DO-41