1N5949B是一种硅雪崩整流二极管,属于高压瞬态电压抑制器(TVS)系列。该器件主要用于保护敏感电子电路免受因静电放电(ESD)、感应雷击和开关瞬变引起的过压损害。1N5949B具有快速响应时间、低电容以及高浪涌电流能力,使其非常适合在通信设备、工业控制、家用电器以及其他需要可靠过压保护的领域中使用。
该器件采用轴向引线封装形式,便于安装和维护,同时具备良好的热稳定性和可靠性。
类型:硅雪崩整流二极管
工作电压(VRWM):270V
峰值脉冲功率(PPP):600W
最大反向电流(IR):1μA
箝位电压(VC):435V
结电容(CJ):8pF
响应时间(typ):1ps
最大浪涌电流(Ipp):18.3A
存储温度范围:-65℃至+200℃
工作温度范围:-65℃至+150℃
1N5949B具备以下关键特性:
1. 高电压保护能力,适用于270V的工作电压环境。
2. 快速响应时间(典型值为1皮秒),可以迅速抑制瞬态过电压。
3. 低结电容(8pF),适合高频应用场合。
4. 高浪涌电流承受能力(18.3A),确保在恶劣环境下依然能够有效保护后级电路。
5. 良好的热稳定性及长期可靠性,能够在高温或低温条件下正常工作。
6. 小型轴向引线封装设计,简化了PCB布局和装配过程。
7. 符合RoHS标准,环保且安全。
1N5949B广泛应用于以下领域:
1. 通信系统中的电源线和信号线保护。
2. 工业自动化设备的输入/输出端口防护。
3. 汽车电子系统的过压保护模块。
4. 家用电器如电视、空调等产品的交流电源接口防护。
5. 数据传输线路的ESD保护。
6. 医疗设备及其他精密仪器的瞬态电压抑制解决方案。
总之,任何可能暴露于瞬态电压威胁下的电子设备都可以考虑使用1N5949B进行防护设计。
1N5950B, P6KE27CA, SMAJ27A