1N5935B 是一款由 ON Semiconductor 生产的齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压参考和电压调节应用。该器件的齐纳电压为 6.2 V,在测试条件下的电流为 10 mA,具有良好的稳定性和温度系数。1N5935B 采用 DO-41 封装,适用于广泛的标准工业应用。
类型: 齐纳二极管
齐纳电压(Vz): 6.2 V
测试电流(Iz): 10 mA
最大齐纳阻抗(Zz): 40 Ω
最大反向漏电流(IR): 100 nA
最大功率耗散(Pd): 3 W
封装类型: DO-41
1N5935B 齐纳二极管具有以下显著特性:
首先,它提供了稳定的齐纳电压,典型值为 6.2 V,这使得它非常适合用作电压基准源。在各种工作条件下,该电压保持相对稳定,确保了电路的可靠性。
其次,该器件具有较低的最大齐纳阻抗(Zz),通常不超过 40 Ω。这一特性意味着在负载电流变化时,齐纳电压的变化非常小,从而提高了电压调节的精度。
第三,1N5935B 的最大反向漏电流(IR)非常低,仅为 100 nA。这一特性确保了在非导通状态下的功耗极低,适用于对功耗敏感的应用场景。
此外,该器件的最大功率耗散为 3 W,具有较强的功率承受能力,适用于中等功率的电压调节需求。
最后,采用 DO-41 封装,1N5935B 具有良好的机械强度和焊接可靠性,适合自动化生产和批量应用。
1N5935B 主要应用于以下几个方面:
在电源管理电路中,该齐纳二极管常用于提供稳定的参考电压,作为线性稳压器、开关稳压器或其他电压调节电路的核心参考点。
在信号调理电路中,1N5935B 可以用于电压限制或钳位保护,防止过电压对后续电路造成损坏。例如,在模拟输入保护电路中,它可以有效地限制输入电压的幅度。
此外,该器件也广泛用于测试和测量设备中的电压校准和参考,确保测量精度。
在工业控制和自动化系统中,1N5935B 用于提供稳定的电压基准,以确保系统在不同工作条件下的稳定性。
由于其良好的温度稳定性和低漏电流特性,1N5935B 也适用于电池供电设备、低功耗电子系统以及需要长期稳定工作的嵌入式系统。
1N4735A, 1N5235B, 1N5819, 1N4733A