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1N5921C 发布时间 时间:2025/12/24 18:41:57 查看 阅读:12

1N5921C 是一种常见的齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和参考电压的生成。该器件封装在标准的 DO-41 塑料封装中,具有稳定的反向击穿电压,适用于多种电子电路中的稳压需求。齐纳二极管在电路中通常工作于反向击穿区域,能够在一定范围内保持电压的稳定,即使电流发生变化。1N5921C 的齐纳电压通常为 5.1V,适用于需要精密电压参考或简单稳压的电路设计。

参数

齐纳电压:5.1V
  最大齐纳电流:100mA
  最大功耗:1W
  工作温度范围:-65°C 至 +175°C
  封装类型:DO-41
  最大反向漏电流:100nA(@ 1V)
  齐纳阻抗:10Ω(最大)

特性

1N5921C 齐纳二极管在电子电路中具有多项关键特性,使其成为电压调节和参考电压生成的理想选择。
  首先,1N5921C 提供稳定的齐纳击穿电压,其标称值为 5.1V。这一电压在一定电流范围内保持相对恒定,使得该器件可用于构建基本的稳压电路或作为参考电压源。其齐纳电压的公差通常控制在 ±5% 范围内,确保在不同应用中的可靠性。
  其次,该器件的最大齐纳电流为 100mA,允许其在中等功率应用中使用。虽然其功耗上限为 1W,因此在高功率应用中可能需要散热设计,但在大多数中低功率电路中表现良好。此外,1N5921C 的工作温度范围广泛,从 -65°C 到 +175°C,适用于工业级和汽车电子等对温度稳定性要求较高的应用环境。
  1N5921C 的封装形式为标准的 DO-41,具有良好的机械强度和焊接性能,适用于通孔插装(THT)电路板设计。这种封装形式也便于手动焊接和自动化生产,提高了其在各类电子产品中的适用性。
  另外,该器件的反向漏电流非常低,最大为 100nA(在 1V 反向电压下),这有助于减少电路在非击穿状态下的功耗,并提升整体能效。同时,其齐纳阻抗最大为 10Ω,保证了在负载变化时电压的稳定性。
  由于其良好的电压稳定性和广泛的工作温度范围,1N5921C 被广泛应用于模拟电路、电源管理、信号调节、电压参考、保护电路等领域。

应用

1N5921C 主要应用于需要稳定参考电压或简单稳压的电路中。在电源管理电路中,它常用于构建低成本的稳压电路,为微控制器、运算放大器或其他模拟器件提供稳定的参考电压。此外,该器件也常用于过压保护电路,作为钳位元件以防止电压超过安全范围,从而保护敏感的电子元件。
  在模拟电路设计中,1N5921C 可作为基准电压源,用于构建精密的电压比较器、稳压器或电压跟随器。在某些低功耗应用中,例如电池供电设备,1N5921C 可用于检测电池电压,并在电压下降到某一阈值时触发低电压警告或关断电路。
  该器件还广泛应用于传感器信号调节电路中,作为电压基准以确保测量的准确性。例如,在温度传感器、压力传感器等系统中,1N5921C 可提供稳定的参考电压,确保输出信号的线性度和稳定性。
  此外,1N5921C 还可用于构建低成本的电压钳位电路,限制输入信号的幅度,防止后级电路受到过电压损坏。在音频电路中,它也可用于限制信号幅度,防止削波失真或放大器损坏。

替代型号

1N4733A, 1N5231B, BZX84-C5V1

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1N5921C参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格157 : ¥47.93790散装
  • 系列MIL-PRF-19500
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz)6.8 V
  • 容差±2%
  • 功率 - 最大值1.25 W
  • 阻抗(最大值)(Zzt)2.5 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏5 μA @ 5.2 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.2 V @ 200 mA
  • 工作温度-65°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳DO-204AL,DO041,轴向
  • 供应商器件封装DO-41