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1N5920B 发布时间 时间:2025/6/24 15:29:06 查看 阅读:6

1N5920B是一种常见的硅雪崩整流二极管,具有快速开关特性和良好的浪涌吸收能力。该器件通常用于电路中的瞬态电压抑制(TVS)保护,能够有效防止因感应雷击、静电放电(ESD)或其他瞬态现象引起的电压尖峰对后续电路的损害。
  这种二极管以其高可靠性、低漏电流和稳定的箝位电压而著称,适用于通信设备、计算机、工业控制系统以及其他需要高稳定性和可靠性的电子应用领域。

参数

最大反向电压:36V
  峰值脉冲电流:34.3A
  最大反向电流:1μA
  结电容:8pF
  响应时间:1ps
  功耗:500W
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

1N5920B采用了先进的制造工艺以确保其性能优越且稳定。
  1. 快速响应时间:由于其皮秒级的响应时间,可以迅速抑制瞬态电压,非常适合高频应用。
  2. 低漏电流:在额定反向电压下,漏电流非常小,有助于降低功耗并提高系统效率。
  3. 高浪涌能力:能够承受较高的峰值脉冲电流,适合用于需要处理大电流冲击的场合。
  4. 广泛的工作温度范围:从低温到高温环境下都能保持可靠的性能,使其适用于各种恶劣环境下的应用。
  5. 稳定的箝位电压:当发生过压事件时,能有效地将电压限制在一个安全范围内,从而保护敏感元件免受损害。

应用

1N5920B广泛应用于以下领域:
  1. 数据通信接口保护:例如RS-232、RS-485等通信端口的防雷保护。
  2. 电源输入保护:在电源输入端口加入此二极管可以避免由于外部干扰导致的电源波动。
  3. 汽车电子系统:为汽车内部的电子控制单元提供防护措施。
  4. 工业自动化设备:保障工厂自动化设备免受电气干扰的影响。
  5. 计算机及外设:保护USB端口、HDMI端口等免遭静电放电损害。

替代型号

1N5920
  P6KE36CA
  SMBJ36CA

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1N5920B参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列Surmetic™
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)6.2V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.5V @ 200mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电5µA @ 4V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大3W
  • 阻抗(最大)(Zzt)2 欧姆
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳DO-204AL,DO-41,轴向
  • 供应商设备封装轴向
  • 包装散装
  • 工作温度-65°C ~ 200°C