1N5916B是一款常见的硅雪崩整流二极管,属于1N59xx系列。该系列二极管广泛用于电路中的过压保护、瞬态电压抑制以及箝位功能。1N5916B具有快速响应特性,能够在高能量浪涌或瞬态电压出现时迅速将电压限制在安全范围内,从而保护敏感的电子元件免受损害。
该二极管的工作原理基于雪崩击穿效应,在反向偏置条件下,当外加电压达到其额定击穿电压时,二极管会导通并将电压稳定在一个特定值上。
最大重复峰值脉冲功率:400W
最大直流工作电流:1.0A
击穿电压(VBR):24V
最大箝位电压(VC):37.8V
电容(典型值):12pF
结温范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:DO-204AD
1N5916B具备优秀的瞬态电压抑制能力,能够有效应对电路中的尖峰电压和浪涌电流。
它具有较低的动态电阻,这使得其箝位性能更加出色。
此外,1N5916B的响应速度非常快,可以及时对瞬态电压作出反应。
其封装小巧,易于安装在各种印刷电路板上,适合空间有限的设计场景。
由于其良好的热稳定性,这款二极管可在较宽的温度范围内可靠工作。
1N5916B主要应用于各种需要瞬态电压抑制的场合,例如通信设备、计算机系统、工业控制设备等。
它可以用来保护敏感的IC和其他电子元器件免受静电放电(ESD)、雷击浪涌以及其他瞬态电压事件的影响。
在电源电路中,该二极管可用作箝位元件,防止电压超出设定的安全范围。
此外,1N5916B还适用于电机驱动器、继电器开关等场景下的反电动势抑制。
1N5916
1N5916A