时间:2025/12/26 21:26:36
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1N5826是一款肖特基势垒二极管,广泛应用于电源整流、续流和极性保护等电路中。该器件采用DO-201AD封装,具有低正向压降和高效率的特点,适用于开关电源、DC-DC转换器以及逆变器等电力电子设备。由于其基于肖特基势垒技术,1N5826在导通时表现出比传统PN结二极管更低的电压损耗,从而减少发热并提高系统整体能效。该二极管额定平均正向整流电流为3A,在高频工作条件下仍能保持良好的性能表现,因此特别适合用于高频整流场合。此外,1N5826具备较高的峰值重复反向电压(最高可达100V),能够在多种输入电压波动环境下稳定运行。其快速恢复特性也使其成为理想的续流二极管选择,常用于抑制电感负载断开时产生的反向电动势。制造工艺上,该器件通常采用平面结构与金硅接触形成肖特基结,确保了可靠性和长期稳定性。1N5826的工作结温范围一般为-65°C至+125°C,适应工业级应用环境要求。同时,它符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,在现代电子产品中具备良好的兼容性。
类型:肖特基二极管
封装:DO-201AD
平均整流电流:3A
峰值反向电压:100V
正向压降:0.45V @ 3A, 25°C
最大浪涌电流:75A
反向漏电流:100μA(最大)@ 100V, 125°C
工作结温范围:-65°C ~ +125°C
热阻:50°C/W(典型)
安装方式:通孔
1N5826作为一款高性能的3A肖特基势垒二极管,其最显著的特性之一是具备极低的正向导通压降。在3A的额定电流下,其正向压降典型值仅为0.45V,远低于传统硅PN结整流二极管(通常为0.7V~1.2V)。这一优势直接转化为更低的导通损耗和更高的能量转换效率,尤其在低压大电流输出的开关电源或DC-DC变换器中显得尤为重要。由于功率损耗P = VF × IF,降低VF可显著减少热量产生,从而简化散热设计,提升系统可靠性。
另一个关键特性是其快速开关响应能力。肖特基二极管本质上是一种多数载流子器件,不存在少数载流子存储效应,因此没有反向恢复时间(trr)或仅有极短的几纳秒级别。这使得1N5826在高频整流应用中表现出色,能够有效避免因反向恢复引起的尖峰电流和电磁干扰问题,特别适用于频率高达数十kHz甚至上百kHz的开关电源拓扑结构,如Buck、Boost和Flyback转换器。
1N5826还具备良好的热稳定性和可靠性。其最大工作结温可达125°C,可在较宽的环境温度范围内正常工作,适用于工业控制、车载电源及消费类电子等多种场景。尽管肖特基二极管通常存在较高的反向漏电流,但1N5826在设计上进行了优化,在100V反向电压和高温条件下(125°C)的最大漏电流控制在100μA以内,保证了在实际应用中的安全裕度。此外,该器件具备75A的峰值浪涌电流承受能力,能够抵御短暂的电流冲击,增强了系统的抗扰动能力。
1N5826广泛应用于各类需要高效整流和快速响应的电子电路中。最常见的应用场景是作为开关电源中的输出整流二极管,特别是在低压大电流输出(如5V、3.3V或更低)的AC-DC适配器和PC电源模块中,利用其低正向压降特性来提高效率并减少散热需求。在DC-DC升压(Boost)或降压(Buck)转换器中,1N5826常被用作续流二极管,以提供电感电流的回路路径,防止开关管关断时产生高压击穿。其快速恢复特性有效抑制了反向恢复损耗和电压振铃现象,提高了转换效率和系统稳定性。
在太阳能充电控制器、LED驱动电源和便携式设备电源管理电路中,1N5826也发挥着重要作用,用于防止电池反接或实现能量回馈路径。此外,它可用于逆变器电路中的钳位保护,吸收感性负载释放的能量,保护主开关元件。在汽车电子系统中,虽然其并非专为汽车级设计,但在某些非严苛环境下的车载充电器或辅助电源中也有使用。总体而言,凡是需要高效率、快响应、低损耗整流功能的场合,1N5826都是一种经济且可靠的解决方案。
SR3100,S360,SB3100