1N5822-T 时间：2025/12/26 10:44:57 阅读：12

1N5822-T是一种常用的肖特基二极管，广泛应用于电源整流、续流和反向电压保护等电路中。该器件采用DO-201AD封装（也称为轴向引线封装），具有低正向压降和高效率的特点，适合在开关电源、DC-DC转换器以及逆变器等对能效要求较高的场合使用。作为一款额定电流为3A、耐压为40V的肖特基势垒二极管，1N5822-T相比传统的快恢复二极管具有更低的导通损耗和更快的开关响应速度。其主要优势在于利用金属-半导体结形成肖特基势垒，从而显著降低正向导通电压（通常在0.45V至0.6V之间），减少功率损耗并提升系统整体效率。此外，由于其结构特性，1N5822-T没有少子存储效应，因此反向恢复时间极短，几乎可以忽略不计，这使其非常适合高频工作环境。
　　需要注意的是，尽管1N5822-T具备诸多优点，但其反向漏电流相对较大，并且最大反向重复电压仅为40V，因此不适合用于高压或高温环境下长期运行的应用场景。为了确保可靠性，在设计时应充分考虑散热条件，并避免超过其最大额定参数。该型号由多家半导体制造商生产，包括ON Semiconductor、Rectron、Comchip等，产品命名可能略有差异，但电气性能基本一致。

参数

类型：肖特基二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：40V
　　最大直流阻断电压（VR）：40V
　　最大平均正向整流电流（IF(AV)）：3A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：50A
　　最大正向电压降（VF）：@ IF=3A, TA=25°C 时典型值 0.525V，最大值 0.6V
　　最大反向漏电流（IR）：@ VR=40V, TA=25°C 时不超过 1.0mA；高温下可上升至500μA以上
　　反向恢复时间（trr）：≤ 10ns（近似于无少子存储效应）
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：DO-201AD（轴向引线）

特性

1N5822-T的核心特性之一是其低正向压降表现，这是由其肖特基势垒结构决定的。与传统的PN结二极管相比，该器件在正向导通状态下表现出更小的电压损失，典型值在0.525V左右，最大不超过0.6V（测试条件为3A电流、25°C环境温度）。这种低VF特性极大地降低了导通期间的能量损耗，提高了电源系统的转换效率，尤其适用于电池供电设备、便携式电子产品以及需要节能设计的开关电源应用。同时，由于其金属-半导体接触机制，不存在少子注入和存储效应，因此反向恢复时间非常短，一般小于10ns，使得它能够在高频开关条件下稳定工作而不会产生明显的开关损耗或电磁干扰问题。
　　另一个关键特性是其较高的平均整流电流能力——可达3A连续电流承载能力，允许其在中等功率级别的电源拓扑中作为主整流元件使用。例如，在反激式或降压型DC-DC变换器的次级侧整流环节中，1N5822-T能够有效替代普通快恢复二极管，实现更高的效率和更低的温升。此外，该器件还具备良好的浪涌电流承受能力，峰值非重复浪涌电流可达50A，增强了其在启动瞬间或负载突变情况下的鲁棒性。然而，它的反向击穿电压限制在40V以内，且随着温度升高，反向漏电流会显著增加，可能影响高可靠性系统的稳定性，因此在高温环境中需谨慎评估热管理措施。综合来看，1N5822-T以其高效、快速、可靠的性能，成为许多低成本、高性能电源设计中的首选肖特基二极管之一。

应用

1N5822-T广泛应用于各类中低电压直流电源系统中，尤其是在对效率和响应速度有较高要求的场合。最常见的用途是在开关模式电源（SMPS）中作为输出整流二极管，特别是在反激式、正激式或降压型（Buck）拓扑结构中，用于将高频交流脉冲转换为稳定的直流电压。由于其低正向压降和快速反向恢复特性，相较于传统硅整流管（如1N540x系列），它可以显著减少导通损耗和开关损耗，从而提高整体电源效率，降低发热，有助于缩小散热器尺寸甚至实现无风扇设计。
　　此外，该器件常被用作续流二极管（Freewheeling Diode）或钳位二极管，在电感性负载（如继电器、电机、电磁阀）切断电源时提供电流泄放路径，防止因反电动势造成控制芯片或开关器件损坏。这一功能在工业控制、汽车电子和家用电器中尤为重要。在DC-DC转换器模块中，尤其是低压大电流输出的应用中，1N5822-T因其较低的压降优势，可有效提升轻载和满载工况下的转换效率。另外，它也被广泛用于逆变电源、UPS不间断电源、太阳能充电控制器、LED驱动电源等设备中，承担整流与防反接双重角色。虽然其最大反向耐压仅为40V，限制了其在高压系统中的应用，但在12V、24V等常见直流系统中仍具有很高的实用价值和性价比。