1N5818-T 时间：2025/12/26 12:13:01 阅读：9

1N5818-T是一款表面贴装肖特基势垒二极管，广泛应用于低压、高频整流场合。该器件采用高效的肖特基势垒技术，具有较低的正向导通压降和快速的反向恢复时间，能够显著提升电源转换效率并减少功耗。1N5818-T通常封装在DO-214AC（SMA）封装中，适合自动化贴片生产，广泛用于消费电子、通信设备和电源管理系统中。由于其优异的开关性能和热稳定性，该二极管特别适用于开关模式电源（SMPS）、直流-直流转换器、续流二极管和极性保护电路等应用。1N5818-T的工作温度范围较宽，能够在-65°C至+125°C的环境下稳定工作，适应各种严苛的应用条件。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅等有害物质，满足现代电子产品对环保的严格要求。作为一款性价比高且可靠性强的肖特基二极管，1N5818-T在中小功率电源设计中占据重要地位，是工程师在选型时常用的标准化元件之一。
　　

参数

类型：肖特基二极管
　　封装/外壳：DO-214AC（SMA）
　　是否无铅：是
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　最大平均正向整流电流（IF(AV)）：1A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：25A（8.3ms 半正弦波）
　　最大正向压降（VF）：0.45V @ 1A, 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：0.5mA @ 25°C, 30V；1.0mA @ 100°C, 30V
　　反向恢复时间（trr）：典型值5ns
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +125°C
　　热阻（RθJA）：约150°C/W（取决于PCB布局）
　　极性：单芯片，阴极标记端

特性

1N5818-T的核心优势在于其基于肖特基势垒结构所带来的低正向压降和超快开关速度。传统PN结二极管在导通时通常具有0.7V左右的压降，而1N5818-T在1A电流下仅需约0.45V即可导通，这一特性显著降低了导通损耗，提高了整体系统的能效，尤其在电池供电或高效率要求的应用中尤为重要。由于其金属-半导体结的物理机制，该器件几乎不存在少数载流子存储效应，因此反向恢复时间极短，典型值仅为5纳秒，远优于普通整流二极管，使其非常适合高频开关环境，如DC-DC变换器中的续流与整流环节。
　　该器件具备良好的热稳定性和可靠性，在125°C高温下仍能保持稳定的电气性能，反向漏电流虽随温度上升有所增加，但在设计合理的散热条件下仍可安全运行。其DO-214AC（SMA）封装形式不仅体积小巧，节省PCB空间，而且具有较强的机械强度和良好的焊接可靠性，支持回流焊和波峰焊工艺，便于大规模自动化生产。此外，该封装具备一定的散热能力，可在不加散热片的情况下承载1A的平均电流，适用于中低功率应用场景。
　　1N5818-T还具备较强的浪涌电流承受能力，可承受高达25A的瞬时峰值电流（8.3ms半正弦波），这使其在面对电源启动或负载突变等瞬态工况时具备良好的鲁棒性。该器件的反向耐压为30V，适用于3.3V、5V、12V等常见低压系统，广泛用于USB电源保护、电机驱动续流、太阳能充电控制器等领域。综合来看，1N5818-T以其高效、快速、可靠的特点，成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

应用

1N5818-T广泛应用于各类需要高效、快速整流的电子电路中。典型应用包括开关模式电源（SMPS）中的输出整流二极管，特别是在反激式和正激式拓扑中，用于提高转换效率并降低发热。在直流-直流（DC-DC）降压或升压转换器中，它常被用作续流二极管（Freewheeling Diode）或自举二极管，利用其低VF和快速响应特性减少能量损耗。此外，该器件也适用于电池充电管理电路、太阳能充电控制器、LED驱动电源以及便携式电子设备的电源模块。
　　在电机驱动应用中，1N5818-T可用于感应负载的续流保护，防止电感反电动势损坏驱动芯片。其快速关断能力有效抑制电压尖峰，提升系统可靠性。该二极管还可用于电源极性反接保护电路，确保系统在误接电源时不受损坏。在通信设备和网络终端中，它常用于接口电源的隔离与稳压。由于其表面贴装封装，特别适合高密度PCB布局和小型化产品设计，如智能手机、平板电脑、无线路由器、智能家居控制板等。同时，其符合RoHS标准，满足出口产品的环保法规要求，适用于全球市场的电子产品制造。