类型：肖特基二极管
　　配置：双共阳极
　　最大重复反向电压（VRRM）：70V
　　最大直流阻断电压（VR）：70V
　　最大正向连续电流（IF）：200mA
　　峰值脉冲电流（IFSM）：500mA
　　最大正向压降（VF）：@ IF = 10mA: 480mV, @ IF = 100mA: 800mV
　　最大反向漏电流（IR）：@ VR = 60V, TA=25°C: 2μA
　　结温范围（Tj）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +125°C
　　封装/外壳：SOD-323
　　安装类型：表面贴装
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C

1N5711WS-7-F的核心特性之一是其低正向导通压降，这得益于其采用的肖特基势垒结构。与传统的PN结二极管相比，肖特基二极管通过金属-半导体接触形成势垒，从而显著降低了导通时的电压损耗。在10mA的工作电流下，其典型正向压降仅为480mV，在100mA时也不超过800mV。这种低VF特性不仅提高了能量转换效率，还减少了热耗散，有助于提升系统整体的稳定性和寿命。对于电池供电或低功耗设计的应用场景而言，这一点尤为重要。
　　另一个关键特性是其快速开关能力。由于肖特基二极管属于多数载流子器件，不存在少数载流子的存储效应，因此其反向恢复时间极短，几乎可以忽略不计。这一特点使得1N5711WS-7-F非常适合用于高频整流、高速开关电源以及射频信号检波等需要快速响应的应用。即使在高频工作条件下，也能保持良好的整流性能和较低的开关损耗。
　　该器件采用双共阳极配置，即将两个独立的肖特基二极管共用一个阳极并集成在同一芯片上。这种结构特别适用于全波整流电路或差分信号处理中的同步整流拓扑，能够简化PCB布局，减少元件数量，提高电路集成度。此外，SOD-323封装体积小巧，仅约1.7mm x 1.25mm x 1.1mm，非常适合高密度贴装需求，广泛用于智能手机、可穿戴设备、无线模块等空间受限的产品中。
　　1N5711WS-7-F具备良好的温度稳定性和环境适应性，可在-55°C至+125°C的宽温度范围内可靠工作，满足工业级和部分汽车级应用的要求。其反向漏电流在常温下非常小（典型值2μA @ 60V），但在高温环境下会有所增加，使用时需注意热管理设计。总体来看，该器件结合了高性能、小尺寸与高可靠性，是一款适用于多种现代电子系统的理想选择。

1N5711WS-7-F广泛应用于各类高频与低电压整流场景。在射频电路中，它常被用作包络检波器，用于解调AM信号或提取RF功率信息，例如在无线遥控、射频识别（RFID）读写器和传感器节点中发挥关键作用。其快速响应和低VF特性使其能高效捕捉高频信号的幅度变化，同时降低信号失真。
　　在电源管理领域，该器件可用于低压直流-直流转换器中的续流或箝位二极管，特别是在同步整流架构中作为辅助二极管配合MOSFET工作，以提高转换效率。由于其最大反向电压为70V，适用于输入电压不超过该限值的中小功率电源系统。
　　此外，1N5711WS-7-F也常用于信号隔离、极性保护和瞬态电压抑制等保护电路中，防止反接或感应电压损坏敏感IC。在便携式消费电子产品如蓝牙耳机、智能手环和移动支付终端中，其小尺寸和高可靠性使其成为首选的保护与整流元件。
　　在模拟开关、多路复用器外围电路以及运算放大器输入保护网络中，该双二极管结构也可提供过压钳位功能，确保前端电路的安全运行。总之，凭借其优异的高频特性、紧凑封装和稳定的电气性能，1N5711WS-7-F在通信、工业控制、消费电子等多个领域均有广泛应用。

BAT54WS, B340LA-7-F, RB751S-40, PMEG2010EAU, SS12