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1N5711W 发布时间 时间:2025/5/15 16:05:52 查看 阅读:7

1N5711W是一种常见的硅雪崩整流二极管,主要用于高频开关和保护电路中。该元件具有快速恢复时间、低正向电压降和较高的反向击穿电压等特性。它在开关电源、脉冲电路以及各种保护电路中有广泛的应用。这种二极管能够承受较大的反向电压,并且能够在高频条件下保持稳定的性能。

参数

最大反向电压:600V
  正向电流(IF):1A
  峰值反向电流:5mA
  正向电压降(VF,典型值):1.1V
  结电容(Cj):15pF
  反向恢复时间(trr):50ns
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装形式:DO-41

特性

1N5711W具备快速的开关速度和较低的反向漏电流,使其非常适合于高频电路中的整流和保护应用。
  其高反向耐压能力可以有效防止过压情况下的元件损坏。
  由于采用了硅材料制造,1N5711W拥有较好的热稳定性和较长的使用寿命。
  同时,该二极管的正向电压降相对较低,有助于减少功率损耗并提高效率。
  此外,1N5711W的封装形式坚固耐用,适合多种工业环境下的应用需求。

应用

1N5711W广泛应用于各类电子设备中,包括但不限于开关电源、逆变器、电机驱动电路以及过压保护电路。
  在通信领域,该二极管可用于信号隔离和高频整流。
  在工业自动化设备中,1N5711W可用作电磁阀或继电器的反向保护元件。
  另外,在汽车电子系统中,该元件也常被用作瞬态电压抑制器以保护敏感器件免受电压浪涌的影响。

替代型号

1N5712, 1N5818, MUR160

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