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1N5619 发布时间 时间:2025/7/26 7:03:05 查看 阅读:43

1N5619 是一种常见的硅整流二极管,广泛用于电源整流、电压调节和电子电路中的反向电压保护。该器件采用标准的DO-41封装,具有良好的稳定性和耐用性。1N5619 属于通用型二极管,适合在中低功率电路中使用。

参数

类型:硅整流二极管
  最大正向电流:1A
  最大反向电压:100V
  正向压降:1.1V(最大值)
  反向漏电流:5uA(最大值,25°C)
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  封装形式:DO-41

特性

1N5619 二极管具有良好的热稳定性和电气性能,能够在较高温度环境下稳定工作。其反向恢复时间较短,适用于高频整流应用。此外,该二极管具有较强的耐过载能力,可以在短时间内承受超过额定电流的负载。由于其封装形式紧凑,适合在空间受限的电路中使用。
  该器件的制造工艺成熟,一致性好,批量生产中性能稳定,因此广泛用于电源适配器、开关电源、逆变器和各类电子设备的整流电路中。1N5619 还具备较强的反向击穿耐受能力,在正常工作条件下不易损坏。

应用

1N5619 主要用于交流到直流的整流电路,特别是在电源供应器、电池充电器、DC-DC转换器等设备中。它也常用于保护电路中,防止因反向电压造成的损坏。例如,在电机驱动电路或继电器控制电路中,1N5619 可以作为续流二极管,保护开关器件免受感应电压的影响。此外,它也可用于信号检测、电压钳位和逻辑电平转换等模拟电路设计中。

替代型号

1N4007, 1N5408, 1N5819

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1N5619参数

  • 现有数量289现货
  • 价格1 : ¥42.29000散装
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 技术标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)600 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)1A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.6 V @ 3 A
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)250 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏500 nA @ 600 V
  • 不同?Vr、F 时电容25pF @ 12V,1MHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳A,轴向
  • 供应商器件封装A,轴向
  • 工作温度 - 结-65°C ~ 175°C