1N5619 是一种常见的硅整流二极管,广泛用于电源整流、电压调节和电子电路中的反向电压保护。该器件采用标准的DO-41封装,具有良好的稳定性和耐用性。1N5619 属于通用型二极管,适合在中低功率电路中使用。
类型:硅整流二极管
最大正向电流:1A
最大反向电压:100V
正向压降:1.1V(最大值)
反向漏电流:5uA(最大值,25°C)
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装形式:DO-41
1N5619 二极管具有良好的热稳定性和电气性能,能够在较高温度环境下稳定工作。其反向恢复时间较短,适用于高频整流应用。此外,该二极管具有较强的耐过载能力,可以在短时间内承受超过额定电流的负载。由于其封装形式紧凑,适合在空间受限的电路中使用。
该器件的制造工艺成熟,一致性好,批量生产中性能稳定,因此广泛用于电源适配器、开关电源、逆变器和各类电子设备的整流电路中。1N5619 还具备较强的反向击穿耐受能力,在正常工作条件下不易损坏。
1N5619 主要用于交流到直流的整流电路,特别是在电源供应器、电池充电器、DC-DC转换器等设备中。它也常用于保护电路中,防止因反向电压造成的损坏。例如,在电机驱动电路或继电器控制电路中,1N5619 可以作为续流二极管,保护开关器件免受感应电压的影响。此外,它也可用于信号检测、电压钳位和逻辑电平转换等模拟电路设计中。
1N4007, 1N5408, 1N5819