1N5397-T/R 是一款由ON Semiconductor生产的高电流能力的硅整流二极管。该器件适用于各种电源整流应用,具有高浪涌电流能力和良好的热稳定性。该封装为TO-220,适合于高功率应用中的安装。
类型:硅整流二极管
最大平均整流电流:1.5A
峰值反向电压:800V
最大正向压降:1.1V @ 1.5A
最大反向漏电流:10uA @ 800V
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
存储温度范围:-55°C ~ +150°C
封装类型:TO-220
引脚数:2
1N5397-T/R 二极管具备较高的电流和电压耐受能力,使其适用于多种整流应用。其高浪涌电流能力保证了在启动或负载突变时的可靠性。
该器件采用硅材料制造,具有良好的热稳定性,可在高温环境下稳定工作。TO-220封装形式提供了良好的散热性能,适用于高功率密度设计。
此外,1N5397-T/R 的反向漏电流非常小,在800V下最大仅为10μA,确保了在高压应用中的低损耗和高效率。
其广泛的工作温度范围(-55°C至+150°C)使其适用于各种恶劣环境下的电子设备。
1N5397-T/R 主要用于电源整流电路中,例如在开关电源、适配器、充电器和直流电源系统中进行交流-直流转换。
它也适用于需要高反向电压耐受能力的电路,如变压器次级侧整流、电桥整流器以及感应负载的续流二极管应用。
此外,该器件还可用于工业控制、家电、LED照明驱动等需要高效整流功能的场合。
1N5399-T/R, 1N5408-T/R