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1N5383B 发布时间 时间:2025/5/23 9:43:52 查看 阅读:17

1N5383B是一种常见的高压硅雪崩整流二极管,属于1N53xx系列。它具有较高的反向击穿电压和快速恢复特性,适合用于开关电源、逆变器和其他需要高压整流的电路中。该器件通常以轴向引线封装形式提供,便于安装和散热。其工作原理是通过PN结在正向偏置时导通,在反向偏置时截止,同时具备良好的雪崩能力以承受瞬态电压。

参数

最大反向电压:600V
  正向电流(峰值):8A
  正向电压(IF=1A):约1.1V
  反向漏电流(VR=600V, TA=25°C):≤50μA
  功耗:75W
  结温范围:-55°C至+175°C
  封装类型:DO-41

特性

1N5383B的主要特性包括高反向耐压能力(600V),能够承受较大的瞬态脉冲而不损坏。
  其次,它的正向压降低,有助于提高系统效率。
  此外,该器件具有良好的热稳定性和可靠性,适用于高温环境下的应用。
  由于采用了硅材料制造,因此具有较长的使用寿命和较低的成本。
  最后,1N5383B支持快速恢复特性,减少了开关损耗并提高了动态性能。

应用

1N5383B广泛应用于各种电力电子领域,例如开关电源中的整流桥、直流-直流转换器、不间断电源(UPS)、光伏逆变器以及电机驱动电路。
  它还可以用作保护元件,吸收感性负载产生的浪涌电压或防止过电压对后级电路造成损害。
  另外,在一些特殊场合下,它可以作为稳压管使用,为低压辅助电路提供稳定的参考电压。

替代型号

1N5383
  1N5383A

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1N5383B参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列Surmetic™
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)150V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.2V @ 1A
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电500nA @ 114V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大5W
  • 阻抗(最大)(Zzt)330 欧姆
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳T-18,轴向
  • 供应商设备封装轴向
  • 包装散装
  • 工作温度-65°C ~ 200°C
  • 其它名称1N5383BOS