时间：2025/6/12 2:15:44
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1N5376B是一种常见的硅雪崩整流二极管，广泛应用于电路保护和电压箝位场景。该器件具有较高的反向击穿电压，能够在特定电压条件下有效限制瞬态电压尖峰，从而保护敏感的电子元件免受过压损害。其设计旨在承受高能量脉冲，并在各种工业和消费类应用中提供可靠的性能。
最大重复峰值反向电压：75V
最大平均正向电流：1A
最大浪涌电流（非重复）：240A
功耗：10W
结电容：约4pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1N5376B属于1N53xx系列高压整流二极管，具有出色的雪崩能力，能够在高电压环境下保持稳定的工作状态。
它采用轴向引线封装，便于安装和焊接，同时确保良好的散热性能。
此二极管具备快速响应特性，适用于瞬态电压抑制（TVS）以及开关电源中的箝位功能。
此外，其低泄漏电流和高可靠性使其非常适合用于高频和高压电路环境。
1N5376B主要应用于需要过压保护或电压箝位的场合，例如电源电路中的瞬态电压抑制、继电器驱动中的反电动势吸收、电机控制中的电感负载保护等。
它还可用于通信设备、家用电器、汽车电子系统以及其他工业领域中涉及高电压瞬变的电路。
此外，在一些特殊应用中，如雷击保护和ESD防护，1N5376B也能够发挥重要作用。
1N5376
1N5376A
