1N5373B 是一种常见的硅雪崩整流二极管,属于 1N537x 系列。该系列二极管广泛用于电路中的瞬态电压抑制和整流功能,具有较高的反向击穿电压和快速响应特性,能够在高电压条件下提供可靠的保护。
这种二极管通常被应用于开关电源、逆变器以及需要承受高电压脉冲的场合。
最大反向工作电压:600V
最大正向平均整流电流:3A
峰值反向电压:600V
最高工作结温:175°C
正向电压(IF=1A):1.1V
反向漏电流(VR=600V,25°C):50uA
封装形式:DO-41
1N5373B 具有较高的反向击穿电压,能够有效防止电路中的过压现象。同时,它具备较低的正向导通压降,从而减少功率损耗。
该器件采用了硅材料制造,确保了良好的温度稳定性和可靠性。由于其较高的电流承载能力(3A),可以适应多种大功率应用需求。
此外,1N5373B 的快速恢复特性使其非常适合高频开关电路,在这些场景中能有效避免因寄生电感引起的电压尖峰对电路造成的损害。
它的封装形式为 DO-41,便于安装和散热设计,适合工业级及消费类电子设备使用。
1N5373B 常用于高压整流电路、直流电机驱动、开关电源输出整流、太阳能逆变器等场景。
在汽车电子领域,它可以用来保护敏感元件免受负载突降或电感性负载产生的瞬态高压冲击。
此外,该二极管还适用于各种工业控制设备中的功率转换电路,例如不间断电源(UPS)、焊接设备以及医疗设备中的电源部分。
1N5373
BYM53-06-E3
MUR1660TRPZ