1N5360E3/TR12 是一种表面贴装的齐纳二极管(Zener Diode),由Microsemi(现为L3Harris Technologies的一部分)制造。这种齐纳二极管主要用于电压调节、稳压和参考电压应用。1N5360E3/TR12 具有良好的温度稳定性和低动态阻抗,适用于需要高精度电压参考的电路。该器件采用SOD-123封装,具有较小的尺寸,适合高密度PCB设计。
类型:齐纳二极管
封装:SOD-123
齐纳电压:3.3V 至 200V(根据具体后缀标识)
最大齐纳电流:200mA
最大耗散功率:500mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
最大反向漏电流:在额定电压下的特定值(通常小于100nA)
动态阻抗:低,典型值根据电压等级不同而变化
温度系数:±50 ppm/°C(典型)
安装类型:表面贴装
1N5360E3/TR12 齐纳二极管具有多个关键特性,使其在电压调节和参考电压应用中表现出色。首先,其齐纳电压范围广泛,从3.3V到200V不等,用户可以根据具体需求选择合适的型号。这使得该器件适用于多种电子系统,如电源管理、稳压电路和参考电压源。
其次,该齐纳二极管的最大齐纳电流为200mA,最大耗散功率为500mW,能够承受较高的功率负载,适用于中高功率稳压应用。此外,SOD-123封装提供了良好的热管理和较小的PCB占用空间,适合高密度电路设计。
1N5360E3/TR12 具有较低的动态阻抗,这有助于减少输出电压的波动,提高电压调节的稳定性。同时,其温度系数较低,典型值为±50 ppm/°C,确保在温度变化较大的环境下仍能保持稳定的电压参考。
该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C,能够适应各种严苛的工作环境,包括工业级和汽车级应用。此外,其反向漏电流较低,通常小于100nA,在高精度电路中不会引入明显的误差。
1N5360E3/TR12 齐纳二极管广泛应用于需要稳定电压参考的电子系统。在电源管理电路中,它可以作为基准电压源,为DC-DC转换器、线性稳压器和其他电压调节模块提供稳定的参考信号。此外,在模拟电路中,该器件可用于构建精密电压参考,确保运算放大器、比较器和其他模拟器件的准确工作。
在嵌入式系统和微控制器单元(MCU)中,1N5360E3/TR12 可用于提供精确的电压阈值,以确保ADC(模数转换器)的测量精度。同时,它也可用于过压保护电路,防止输入电压超过系统允许的最大值,从而保护关键电路组件。
由于其良好的温度稳定性和低动态阻抗,1N5360E3/TR12 也适用于测试和测量设备,如万用表、示波器和信号发生器等,用于提供高精度的电压参考基准。此外,在汽车电子系统中,例如车载娱乐系统、车身控制模块和传感器接口电路中,该器件能够提供可靠的电压调节功能。
1N4733A、BZX84C3V3、MMSZ5221B、1N5226B、SMBJ5.0