1N5350BTA 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的高功率单向瞬态电压抑制二极管(TVS)。该器件主要用于保护电子电路免受高压瞬态和浪涌电流的损害。其设计能够吸收高达3000W的峰值脉冲功率(在10/1000μs波形下),并具有快速响应时间,能够在纳秒级内对瞬态电压做出反应。1N5350BTA 采用DO-201AE(又称DO-27)封装,适用于广泛的应用场景,特别是在需要高可靠性和强大保护能力的工业、汽车和消费电子产品中。
类型:瞬态电压抑制二极管(TVS)
方向:单向
峰值脉冲功率(10/1000μs):3000W
工作电压(VBR):25V
最大反向工作电压(VRWM):25V
最大钳位电压(VC):42.1V(在Ipp=67.2A时)
最大反向漏电流(IR):10μA(@ VRWM)
响应时间:≤1.0ns
封装:DO-201AE(DO-27)
极性:单向
1N5350BTA 的核心特性在于其卓越的瞬态电压抑制能力。该器件能够在极短时间内(纳秒级)响应电压浪涌,将过电压钳制在安全范围内,从而保护后级电路不受损坏。其3000W的峰值脉冲功率吸收能力使其能够应对大能量的瞬态事件,如雷击浪涌或静电放电(ESD)等。此外,1N5350BTA 的低漏电流(最大10μA)确保在正常工作条件下不会对电路产生干扰,同时其较高的击穿电压稳定性(VBR公差通常为±5%)保证了器件在各种环境下的可靠性能。
该器件采用坚固的DO-201AE封装,具有良好的机械强度和热稳定性,适合在恶劣环境中使用。其单向结构设计使得在直流电路中的保护更为有效,尤其是在正极性浪涌较为常见的应用场景中表现优异。1N5350BTA 还具备高可靠性,在长期运行中能够保持稳定的电气性能,适用于对安全性和寿命要求较高的工业控制系统、电源模块、通信设备和汽车电子系统。
1N5350BTA 被广泛应用于需要高能浪涌保护的电子系统中。例如,在工业自动化设备中,它可以用于保护PLC(可编程逻辑控制器)输入/输出端口免受电磁干扰(EMI)和静电放电的影响;在汽车电子系统中,该器件可被用于保护车载电源线、CAN总线接口和传感器线路,防止因电池短路、负载突降等引起的电压冲击;在通信设备中,它常用于保护以太网端口、RS-485接口以及电源输入端子;此外,该器件还适用于电源适配器、UPS(不间断电源)、LED照明系统和消费类电子产品中的电源管理电路,提供高效可靠的过电压保护。
1N5350B-T, 1N5350BQ, 1.5KE25A