时间：2025/5/26 12:47:21
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1N5350B是一种常见的硅雪崩整流二极管，广泛应用于电路中的电压箝位、过压保护以及开关电源设计中。该器件具有较高的反向击穿电压和较低的正向电压降特性，能够承受较大的瞬态电流脉冲。它适合于需要高可靠性和稳定性的应用环境。
1N5350B的主要功能是将电压限制在特定范围内，以保护敏感电子元件免受过高电压的损害。其 avalanche（雪崩）特性使其能够在超过额定反向电压时安全导通，而不会损坏器件本身。
最大反向电压：68V
最大平均整流电流：2A
最大峰值电流：170A
正向电压（IF=1A）：~1.1V
总耗散功率（@Tamb=25°C）：40W
工作结温范围：-55°C至+175°C
封装形式：DO-41
1N5350B具备以下显著特点：
1. 高浪涌电流能力，可有效应对瞬态高压情况。
2. 稳定的反向击穿电压，确保在复杂环境下表现一致。
3. 极低的动态阻抗，有助于提高箝位效率。
4. 较宽的工作温度范围，适用于极端条件下的应用。
5. 符合 RoHS 标准，环保且兼容现代制造工艺。
1N5350B主要应用于以下几个领域：
1. 开关电源中的电压箝位与保护。
2. 汽车电子系统中的瞬态电压抑制。
3. 工业控制设备中的过压防护。
4. 通信设备中的浪涌保护电路。
5. 家用电器及消费类电子产品中的电源保护模块。
1N5350
MELF版本：SMAJ68A
表面贴装版本：SMBJ68A
