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1N5342B 发布时间 时间:2025/6/17 6:37:25 查看 阅读:5

1N5342B是一种常见的硅雪崩整流二极管,主要用于电路中的电压箝位和瞬态电压抑制。该二极管具有较高的反向击穿电压以及快速响应特性,能够有效保护电路免受过电压的损害。
  1N5342B属于1N53XX系列,这类器件广泛应用于开关电源、通信设备、工业控制和其他需要保护电子元器件免受瞬态电压影响的场景中。

参数

最大反向击穿电压:75V
  最大正向电流:1A
  峰值脉冲电流:39A
  正向电压(IF=1A):1.1V
  反向漏电流(VR=75V):50uA
  结电容:6pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

1N5342B具备以下主要特性:
  1. 高可靠性:能够在极端温度范围内稳定工作。
  2. 快速响应时间:对瞬态电压具有非常低的响应延迟,适合高频应用。
  3. 低插入损耗:在正常工作条件下,对信号的影响较小。
  4. 高浪涌能力:可承受较大的瞬态电流冲击而不损坏。
  5. 稳定性高:长时间使用后性能变化小,保证电路长期可靠运行。
  6. 小型化设计:采用标准封装形式,易于安装并兼容各种PCB布局。

应用

1N5342B常用于以下应用场景:
  1. 开关电源中的输入输出保护。
  2. 电机驱动器中的瞬态电压抑制。
  3. 工业自动化设备中的ESD防护。
  4. 通信接口的过压保护,如RS-232或USB端口。
  5. 汽车电子系统中的负载突降保护。
  6. 各种消费类电子产品中的简单电压箝位功能。

替代型号

1N5342
  1N5342A
  P6KE75CA
  SMBJ75A

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1N5342B参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列Surmetic™
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)6.8V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.2V @ 1A
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电10µA @ 5.2V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大5W
  • 阻抗(最大)(Zzt)1 欧姆
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳T-18,轴向
  • 供应商设备封装轴向
  • 包装散装
  • 工作温度-65°C ~ 200°C
  • 其它名称1N5342BOS