1N5225B是一种常见的齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和稳压电路中。它具有稳定的反向击穿电压特性,能够在特定的反向电压下导通,从而实现对电路中电压的稳定控制。
该器件广泛应用于电源电路、信号处理电路以及其他需要精确电压参考的场合。
型号:1N5225B
类型:齐纳二极管
齐纳电压(Vz):6.8V
功率耗散(Pzt):500mW
正向电流(Iz):5mA
反向漏电流(Ir):5uA
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装形式:DO-35
1N5225B的主要特性包括高稳定性、低动态阻抗和较小的温度系数,这使其能够提供准确的电压参考。齐纳电压为6.8V,适用于多种低压稳压应用场景。
其最大功耗为500mW,确保在小信号电路中不会过热。此外,器件的封装形式为DO-35,这种封装设计紧凑,适合于各种印刷电路板安装环境。
由于其较低的反向漏电流(5uA),该器件能够在精密电路中保持较高的效率和稳定性。
齐纳二极管的击穿电压受温度影响较小,因此在不同环境下仍能保持良好的性能。
1N5225B通常用于以下场景:
1. 稳压电路:作为参考电压源,用于将输入电压稳定在一个特定值。
2. 过压保护:防止电路中的瞬态高压损坏敏感元件。
3. 信号电平调整:用于音频和通信设备中的信号调理。
4. 温度补偿电路:与其他元器件配合使用以减少温度漂移的影响。
5. 开关电源反馈回路:为开关电源提供稳定的反馈电压信号。
1N5225
1N4735A
BZX84-C6V8