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1N5221B 发布时间 时间:2025/5/15 16:05:05 查看 阅读:6

1N5221B是一种齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和稳压电路中。该器件具有精确的齐纳击穿电压,能够在特定的反向电压下导通并维持稳定的电压输出,适用于各种电子设备中的稳压、参考电压以及过压保护等场景。

参数

型号:1N5221B
  齐纳电压(Vz):4.7V
  功率耗散(Pzt):500mW
  正向电流(If):200mA
  齐纳电流(Iz):5mA
  最大反向漏电流(Ir):5uA(在2V时)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

1N5221B具有较高的稳定性,其齐纳电压精度较高,在工作范围内能够提供可靠的电压调节能力。
  该器件采用玻璃封装形式,具有良好的机械强度和防潮性能,适合长期在恶劣环境下使用。
  其低动态阻抗确保了在负载变化时输出电压的稳定。
  此外,1N5221B具备快速响应特性,适用于瞬态电压抑制应用,例如电源输入端的过压保护。
  由于功率耗散为500mW,因此它非常适合低功耗电路设计。

应用

1N5221B广泛应用于需要精确电压参考和稳压的场合,如:
  - 稳压电源中的电压调节模块
  - 过压保护电路
  - 参考电压源
  - 模拟电路中的偏置电压生成
  - 信号电平转换
  - 音频放大器中的偏置设置
  此外,该器件还常用于通信设备、消费类电子产品以及工业控制系统中的相关功能模块。

替代型号

1N5221
  MMSZ5221B
  BZX84-C4V7

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1N5221B参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)2.4V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.2V @ 200mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电100µA @ 1V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大500mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)30 欧姆
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳DO-204AH,DO-35,轴向
  • 供应商设备封装DO-35
  • 包装散装
  • 工作温度-65°C ~ 200°C