齐纳电压：200V
　　齐纳电流：1mA
　　最大耗散功率：1W
　　工作温度范围：-55℃至+175℃
　　存储温度范围：-55℃至+175℃
　　封装形式：DO-41
　　最大反向漏电流：100nA（@ 25V）
　　最大动态电阻：850Ω

1N4761AM 以其稳定的齐纳电压特性和较高的功率耗散能力著称。其齐纳电压在额定电流下保持稳定，适用于需要高精度电压参考的应用场景。该器件的最大耗散功率为1W，能够在较宽的温度范围内稳定工作（-55℃至+175℃），具备良好的热稳定性。
　　此外，1N4761AM 的反向漏电流非常低（最大100nA @ 25V），确保在低电流工作状态下仍能保持良好的稳压性能。其动态电阻较低（最大850Ω），有助于减小电压波动，提高电路的稳定性。DO-41封装形式不仅体积小巧，还具有良好的机械强度和焊接性能，适合在自动化生产中使用。
　　该器件还具备优异的长期稳定性，适用于对可靠性要求较高的应用场景，如电源稳压、电压检测和保护电路等。在使用过程中，需注意散热设计，以保证器件在最大功率耗散条件下仍能正常工作。

1N4761AM 主要用于高电压稳压和参考电压生成。其典型应用包括线性稳压电源、电压检测电路、过压保护电路、工业控制系统中的基准电压源等。由于其高击穿电压特性，该器件也常用于高电压测试设备和高压监测电路中。
　　在开关电源和DC-DC转换器中，1N4761AM 可作为参考电压源，用于反馈控制环路，确保输出电压的稳定性。此外，在电池管理系统中，它可以用于监测高压电池组的电压水平，提供可靠的电压基准。
　　在测试与测量设备中，1N4761AM 可用于构建高精度电压源或作为校准基准。其良好的温度稳定性和长期可靠性也使其适用于航空航天、工业控制和医疗电子等高要求领域。

1N4761A, 1N4761AF, 1N4761AG