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1N4757AUR 发布时间 时间:2025/12/24 18:34:30 查看 阅读:17

1N4757AUR 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的硅单向击穿电压稳压二极管(Zener Diode),具有较高的精度和稳定性。该器件广泛应用于电源管理、电压调节、信号处理和保护电路中,用于提供稳定的参考电压或限制电压波动。该型号属于1N47xxA系列,采用SOD-123表面贴装封装,具有体积小、响应快和可靠性高的特点。

参数

类型:单向稳压二极管
  标称稳压电压:10.0 V
  容差:±5%
  最大耗散功率:1.0 W
  工作温度范围:-65°C 至 +175°C
  封装类型:SOD-123(表面贴装)
  引脚数量:2
  最大反向漏电流:100 nA(在额定电压以下)
  最大阻抗(Zzt):10 Ω
  峰值脉冲电流:1.0 A
  存储温度范围:-65°C 至 +175°C

特性

1N4757AUR 具有良好的电压稳定性和温度稳定性,其±5%的容差确保在多种工作条件下仍能提供精确的参考电压。该器件的SOD-123封装体积小巧,适合高密度电路设计。其最大耗散功率为1.0 W,能够在相对较高的功率条件下正常工作,适用于多种中低功率应用。此外,该稳压二极管具备较低的反向漏电流(最大100 nA),有助于减少电路中的静态功耗。
  这款稳压二极管的工作温度范围宽广,从-65°C到+175°C,适应性强,适合在极端环境条件下使用。其快速响应时间和低动态阻抗也使其在电压调节和瞬态抑制方面表现出色,能够有效保护电路免受电压尖峰和静电放电(ESD)的影响。
  另外,1N4757AUR 的封装符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适用于现代绿色电子制造流程。

应用

1N4757AUR 主要应用于需要稳定参考电压或电压保护的电路设计中。例如,在电源模块中,它可作为基准电压源以确保输出电压的稳定性;在电池管理系统中,可用于电压监测和过压保护;在信号调理电路中,它可作为电压限制器以防止信号过载。此外,该器件也可用于DC-DC转换器、负载调节电路以及各类工业控制和通信设备中的电压钳位保护。
  由于其SOD-123封装的表面贴装特性,1N4757AUR 特别适合自动化生产流程,广泛用于消费电子、汽车电子、工业自动化和通信设备等领域的印刷电路板(PCB)设计中。

替代型号

1N4757A, 1N5245B-T, BZX84-C10, LMVZ1-10

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1N4757AUR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格272 : ¥27.54640散装
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz)51 V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大值1 W
  • 阻抗(最大值)(Zzt)95 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏5 μA @ 38.8 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.2 V @ 200 mA
  • 工作温度-65°C ~ 175°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳DO-213AB,MELF
  • 供应商器件封装DO-213AB