类型：小信号二极管
　　最大正向电流：300 mA
　　峰值反向电压：100 V
　　正向电压（@250mA）：1.0 V（最大）
　　反向漏电流（@100V）：100 nA（最大）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-65°C ~ +175°C
　　封装类型：SOT-23

1N4448WT/R 的主要特性之一是其高速开关能力，使其在高频整流和开关电路中表现出色。其反向恢复时间（trr）非常短，通常小于4 ns，这对于需要快速响应的电路至关重要。
　　该器件的正向压降较低，在250 mA电流下最大为1.0 V，有助于降低功耗并提高能效。此外，1N4448WT/R 具有较高的峰值反向电压（100 V），能够在较高电压的环境中稳定工作。
　　1N4448WT/R 的SOT-23封装体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用。其材料符合RoHS标准，适用于环保型电子产品设计。该器件的可靠性较高，适用于工业控制、消费电子、通信设备等多种应用场景。
　　由于其优良的性能和广泛的应用范围，1N4448WT/R 成为许多工程师在设计电路时的首选二极管之一。

1N4448WT/R 广泛应用于各种电子设备中，特别是在需要高速开关特性的电路中。例如，它可用于电源整流电路，将交流电转换为直流电，并在高频开关电源中提供快速恢复能力。
　　在数字电路中，1N4448WT/R 常用于信号箝位或电压箝位保护，防止过压损坏后续电路。此外，它也可用于逻辑门电路中的隔离、信号切换和电平转换功能。
　　在通信系统中，该二极管可作为射频信号开关或调制解调电路中的关键元件。由于其良好的高频特性，1N4448WT/R 在无线通信设备和数据传输系统中也得到了广泛应用。
　　其他应用包括LED驱动电路、逆变器、马达控制电路中的续流保护以及各类消费电子产品中的电源管理模块。

1N4148、BAV99、1N4448WS、1N4448、BAT46