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1N2970B 发布时间 时间:2025/12/24 17:52:27 查看 阅读:17

1N2970B 是一款硅基的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该器件通常用于高频放大和开关应用。作为一款常见的分立半导体器件,1N2970B被广泛应用于工业控制、通信设备以及消费类电子产品中。它具有良好的高频响应特性,适用于需要快速切换或信号放大的电路设计。

参数

晶体管类型:NPN 双极型晶体管
  最大集电极电流(Ic):100mA
  最大集电极-发射极电压(Vce):30V
  最大集电极-基极电压(Vcb):30V
  最大功耗(Ptot):300mW
  增益(hFE):110-800(根据不同等级)
  过渡频率(fT):100MHz
  封装类型:TO-92

特性

1N2970B晶体管具有多项显著的电气和物理特性。首先,其NPN结构使其适用于各种放大器配置,如共射、共基和共集放大电路。其次,该晶体管的高过渡频率(fT)达到100MHz,因此能够有效工作在高频环境下,适合用于射频(RF)信号放大和处理。
  此外,1N2970B的最大集电极电流为100mA,这使其在低功率应用中表现出色,同时具备一定的负载驱动能力。晶体管的三个主要引脚(基极、集电极和发射极)具有良好的隔离性能,从而确保了在复杂电路中的稳定性和可靠性。
  该器件的TO-92封装形式不仅便于安装和焊接,而且具有良好的散热性能,有助于在高电流工作时维持较低的温度,延长使用寿命。同时,其最大功耗为300mW,这在大多数中低功率设计中是完全可以接受的。
  1N2970B的增益(hFE)范围较宽,从110到800不等,具体数值取决于制造批次和分选等级。这种设计允许用户根据实际电路需求选择合适的晶体管增益等级,以实现最佳的放大效果或开关性能。

应用

1N2970B晶体管广泛应用于多种电子电路中。其主要用途包括信号放大、开关控制、电压调节以及逻辑电路的构建。在音频放大器设计中,它可以用于前置放大器级,以提高信号强度。
  在数字电路中,1N2970B常被用作开关晶体管,控制继电器、LED灯或其他负载的通断。由于其高频特性,该晶体管也适用于射频信号放大和调制解调电路,特别是在无线通信系统中。
  此外,1N2970B还可用于传感器接口电路,将微弱的模拟信号进行放大,以便后续的ADC转换或比较器处理。在工业自动化和控制系统中,该晶体管可作为控制元件,用于驱动小型电机、电磁阀或指示灯。
  对于嵌入式系统和消费电子产品,1N2970B因其低成本、高可靠性和广泛的工作温度范围而成为理想的选择。

替代型号

BC547, 2N3904, 2N2222

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1N2970B产品

1N2970B参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)6.8V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.5V @ 2A
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电150µA @ 5.2V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大10W
  • 阻抗(最大)(Zzt)1.2 欧姆
  • 安装类型底座,接线柱安装
  • 封装/外壳DO-203AA,DO-4,接线柱
  • 供应商设备封装DO-4
  • 包装散装
  • 工作温度-65°C ~ 175°C
  • 其它名称Q5222801