类型：锗开关二极管
　　最大平均整流电流：50mA
　　最大正向电压降：0.4V @ 10mA
　　最大反向击穿电压：75V
　　最大反向漏电流：100μA @ 额定VR
　　结电容：约5pF @ 4V
　　工作温度范围：-55°C ~ +75°C
　　封装形式：DO-7 或 类似轴向引线玻璃封装

1N2137A的核心特性在于其基于锗半导体材料的PN结设计，赋予了它在低电压条件下快速导通的能力，特别适用于小信号处理环境。其正向导通电压仅为0.2V至0.4V左右，远低于硅二极管的0.6V~0.7V水平，这意味着在处理毫伏级信号时能减少信号损失，提升检波效率，因此在AM收音机、雷达接收前端和模拟乘法器等对阈值敏感的应用中曾被广泛采用。此外，该器件具备相对较低的结电容（典型值约为5pF），使其能够在几十兆赫兹频率下保持良好的响应速度，适合用作高频开关元件。虽然其开关速度无法与现代高速肖特基或PIN二极管相比，但在当时的工艺条件下已属优良表现。
　　另一个显著特点是其非线性伏安特性曲线较为陡峭，有利于实现较高的整流效率和较小的失真度。然而，这种优势伴随着明显的缺点：首先是反向漏电流较大，尤其是在高温环境下，漏电流可能急剧上升，影响电路稳定性；其次是热稳定性差，结温升高会导致参数漂移严重，限制了其在高可靠性系统中的长期使用。此外，1N2137A的最大平均整流电流仅为50mA，功率处理能力较弱，不适合大电流或高功耗应用场景。其反向耐压为75V，在低压电路中尚可接受，但远低于现代通用二极管（如1N4148可达100V）。综合来看，该器件更适合于低噪声、低功耗、高频小信号切换任务，而不适用于电源整流或高压隔离等用途。
　　值得注意的是，由于生产年代久远，不同批次的1N2137A可能存在较大的参数离散性，甚至存在假冒翻新件的风险。因此在实际使用中应进行严格的老化测试和参数筛选，确保电气性能符合原始设计要求。同时，由于缺乏现代质量管理体系支持，该型号无RoHS合规性，也不适合用于商业量产产品设计。

1N2137A主要用于上世纪中期的高频电子系统中，典型应用包括调幅（AM）无线电接收机中的信号检波电路，利用其低导通电压特性有效提取音频调制信号，提高接收灵敏度。在雷达和通信接收前端，它常被用作射频开关或限幅保护元件，防止强信号损坏后续放大器。此外，在模拟计算电路和早期数字逻辑门设计中，该二极管可用于构建二极管-晶体管逻辑（DTL）结构，实现基本的“与”、“或”逻辑功能。由于其响应速度快且对微弱信号敏感，也曾在示波器垂直放大器输入级中作为箝位或削波元件使用。在电视接收机中，1N2137A可用于同步分离电路或视频信号整形环节。尽管这些应用如今大多已被集成化程度更高的专用芯片替代，但在修复古董级电子设备或教学演示中仍有实际意义。