时间：2025/8/8 18:06:13
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1MBII2400U4D-170 是一款由Micron制造的DRAM内存模块，属于1M x 36位、5V供电的EDO（扩展数据输出）内存模块。该模块设计用于需要高速内存访问的高性能计算系统，支持异步操作，并提供较传统DRAM更高的数据传输效率。由于其特定的电气和时序参数，该模块广泛应用于工业计算机、服务器以及需要可靠内存解决方案的设备中。
容量：1M x 36位
电压：5V ± 0.5V
访问时间：170ns
封装形式：SIMM（单列直插内存模块）
工作温度范围：0°C 至 70°C（商业级）或 -40°C 至 85°C（工业级）
数据宽度：36位
刷新方式：自动刷新
信号类型：TTL兼容
1MBII2400U4D-170模块采用了EDO（扩展数据输出）技术，使内存能够在下一个地址周期开始前继续输出数据，从而提高整体数据带宽。该模块的访问时间为170ns，适用于早期的高性能计算平台和服务器系统。
其1M x 36位的组织结构允许同时传输36位数据，通常用于支持ECC（错误检查与纠正）的系统，以增强数据完整性与系统稳定性。模块采用SIMM封装形式，安装简便，适用于标准内存插槽。
该内存模块支持自动刷新功能，降低了系统设计的复杂度，并确保数据在低功耗状态下的完整性。其TTL兼容信号接口确保了与多种控制器的兼容性。此外，模块的工作温度范围可选商业级（0°C至70°C）或工业级（-40°C至85°C），适用于不同环境条件下的应用。
1MBII2400U4D-170模块主要应用于早期的高性能计算系统、服务器、工作站以及需要ECC内存支持的工业设备。它适用于需要高数据完整性和稳定性的场合，如金融交易系统、通信设备、嵌入式控制系统等。此外，该模块也常见于需要扩展内存容量的老式计算机系统和工业自动化设备中。
MT48LC1M36A2B4-170M1
