时间：2025/12/26 23:52:38
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1KSMBJ9.1A是一款由ONSEMI（安森美）生产的表面贴装硅瞬态电压抑制二极管（TVS Diode），属于SMBJ系列，专为保护敏感电子设备免受瞬态高能量脉冲损害而设计。该器件采用SMB（DO-214AA）封装，具有紧凑的尺寸和高效的散热性能，适用于各种需要过压保护的应用场景。1KSMBJ9.1A的标称击穿电压为9.1V，能够在短时间内吸收高达1000W的峰值脉冲功率（PPPM），符合IEC61000-4-2、IEC61000-4-4和IEC61000-4-5等国际电磁兼容性标准，确保系统在遭受静电放电（ESD）、雷击或电感负载切换等瞬态干扰时仍能稳定运行。该TVS二极管具备快速响应时间（通常小于1ps），能够在瞬态电压出现的瞬间迅速钳位电压，将过压箝制在安全范围内，从而有效保护下游电路元件。此外，其低动态电阻和低漏电流特性使其在正常工作状态下对系统影响极小，仅在发生瞬态事件时才激活保护机制。1KSMBJ9.1A广泛应用于工业控制、通信设备、消费类电子产品、电源管理系统以及汽车电子等领域，作为第一道防线抵御外部电气应力冲击。其可靠的性能和成熟的制造工艺使其成为众多设计师在进行电路保护设计时的首选器件之一。
类型：瞬态电压抑制二极管（TVS）
封装：SMB（DO-214AA）
极性：单向
反向关态电压（VRWM）：9.1V
击穿电压（VBR）：10.1V ~ 11.2V
测试电流（IT）：1mA
最大钳位电压（VC）：15.4V @ IPP = 64.9A
峰值脉冲功率（PPPM）：1000W
峰值脉冲电流（IPP）：64.9A
漏电流（IR）：≤5μA @ VRWM = 9.1V
工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
引脚数：2
1KSMBJ9.1A的核心特性之一是其卓越的瞬态电压抑制能力，能够承受高达1000W的峰值脉冲功率，适用于处理大能量瞬态事件，如雷击感应、电源线上的开关噪声以及静电放电（ESD）。其单向结构设计使其特别适合直流电源线路的保护，能够在正向过压情况下提供有效的电压箝位。该器件的击穿电压范围为10.1V至11.2V，在1mA测试电流下精确触发，确保系统在超过安全阈值时立即启动保护机制。最大钳位电压仅为15.4V，即使在64.9A的高峰值电流下也能将电压限制在较低水平，从而显著降低对后级电路的冲击风险。由于采用了先进的硅PN结技术，1KSMBJ9.1A具备极低的动态阻抗，这有助于在瞬态期间维持稳定的钳位电压，并减少内部功耗和热积累。此外，其在正常工作状态下的漏电流不超过5μA，几乎不会对系统静态功耗造成影响，非常适合用于低功耗或电池供电设备中。该TVS二极管响应速度极快，理论上可在皮秒级时间内响应电压突变，远快于传统的过压保护器件如压敏电阻或气体放电管，因此能更有效地防止瞬态电压对敏感IC造成损伤。SMB（DO-214AA）封装不仅节省PCB空间，还具备良好的热传导性能，有助于在多次瞬态事件中保持长期可靠性。该器件符合RoHS和无卤素要求，支持环保生产工艺，并通过了AEC-Q101认证的部分测试项目，适用于汽车级应用环境。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其能够在极端温度条件下稳定运行，增强了在工业与户外环境中的适应性。
1KSMBJ9.1A广泛应用于多种需要高效过压保护的电子系统中。在工业自动化领域，它常被用于PLC输入/输出端口、传感器接口和电机驱动电路中，防止因电感负载突然断开产生的反电动势损坏控制器。在通信设备中，该TVS可用于以太网端口、RS-232/RS-485总线保护，抵御来自长距离传输线引入的电磁干扰和雷击感应电压。在消费类电子产品中，如电视、机顶盒、智能家居控制面板等，1KSMBJ9.1A可安装在电源输入端或USB接口处，防范用户操作过程中可能引发的静电放电（ESD）事件。在汽车电子系统中，尽管其未明确标注为车规级型号，但由于其高可靠性和宽温特性，仍可用于车身控制模块、车载娱乐系统或辅助电源单元的次级保护电路。此外，在开关电源、AC-DC适配器和DC-DC转换器中，该器件可用于输出端的过压保护，防止反馈回路失效导致输出电压飙升而损坏负载设备。由于其SMB表面贴装封装，便于自动化贴片生产，适合大规模制造应用。对于设计工程师而言，使用1KSMBJ9.1A可以简化电路保护方案，无需复杂的外围元件即可实现高性能防护，同时提高整体系统的EMI抗扰度和长期稳定性。
SMBJ9.1A
P6KE9.1A
SMAJ9.1A
