时间:2025/12/26 23:10:35
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1KSMBJ24A是一款由Littelfuse或其他制造商生产的瞬态电压抑制二极管(TVS Diode),属于SMCJ系列的高功率表面贴装保护器件。该器件主要用于保护敏感电子设备免受瞬态过电压事件的影响,例如雷击感应、电感负载切换、静电放电(ESD)以及电源线路中的浪涌冲击。其设计基于硅雪崩二极管技术,能够在纳秒级时间内响应过电压脉冲,并将电压钳位到安全水平,从而防止下游电路受损。
1KSMBJ24A采用SMB封装(DO-214AA),具有较小的占板面积,适用于空间受限的应用场景。该器件的标称击穿电压为24V,工作于单向模式,意味着它仅在一个方向上提供过压保护,通常用于直流电路中。由于其高达600W的峰值脉冲功率能力,1KSMBJ24A非常适合在工业控制、通信系统和消费类电子产品中作为初级或次级保护元件使用。此外,该TVS二极管具备低动态电阻和低漏电流特性,在正常工作条件下对系统性能影响极小。
器件类型:TVS二极管
极性:单向
反向工作电压(VRWM):24V
击穿电压测试电流(IBE):1mA
最小击穿电压:26.7V
最大击穿电压:29.5V
钳位电压(IPP):38.9V
峰值脉冲电流(IPP):15.4A
峰值脉冲功率(PPPM):600W
封装形式:SMB(DO-214AA)
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
引脚数:2
漏电流(IR):最大5μA
恢复时间:≤1ns
1KSMBJ24A的核心特性之一是其卓越的瞬态电压抑制能力。该TVS二极管采用先进的硅雪崩技术,能够在检测到超过其击穿电压的瞬态过压事件时迅速导通,将电压限制在安全范围内。其钳位电压为38.9V,确保在发生如IEC 61000-4-2规定的ESD事件或EFT脉冲时,连接的半导体器件不会因过压而损坏。这种快速响应特性(响应时间小于1纳秒)使其能够有效应对静电放电(最高可达30kV接触放电)和电气快速瞬变(EFT)等高频干扰源。
另一个关键优势是其600W的峰值脉冲功率处理能力。这使得1KSMBJ24A能够在短时间内吸收大量能量而不发生热失效。这一特性对于暴露在恶劣电磁环境下的设备尤为重要,例如户外通信接口、工业PLC输入/输出端口或汽车电子模块。通过合理设计PCB布局并配合适当的限流措施,该器件可多次承受标准浪涌测试波形(如8/20μs电流波形)而不退化性能。
1KSMBJ24A还具备稳定的电气特性和长期可靠性。其反向漏电流极低(典型值小于5μA),在正常工作电压下几乎不消耗额外功率,也不会引入显著噪声。同时,该器件的工作结温范围宽达-55℃至+150℃,支持在极端环境温度下稳定运行,适合工业级与部分汽车级应用场景。SMB封装不仅节省空间,而且便于自动化贴片生产,提升了制造效率。此外,该TVS二极管符合RoHS环保要求,不含铅和其他有害物质,满足现代电子产品对绿色环保的需求。
1KSMBJ24A广泛应用于各类需要瞬态过压保护的电子系统中。在工业自动化领域,常用于PLC数字输入模块、传感器接口和继电器驱动电路,以防止因感性负载开关引起的反电动势损坏微控制器或光耦器件。在通信设备中,该器件可用于保护RS-232、RS-485、CAN总线等信号线路免受雷击感应或接地环路波动带来的高压冲击。
在消费类电子产品中,1KSMBJ24A可用于电源适配器输出端、电池管理系统(BMS)、智能家居控制板等位置,提供可靠的过压防护。特别是在直流供电系统中,当存在电源插拔瞬态或反接风险时,该TVS可有效抑制电压尖峰。此外,在汽车电子中,虽然其非完全符合AEC-Q101标准,但仍可用于部分车载辅助系统,如车窗控制、灯光模块或车载信息娱乐系统的电源入口处进行二级保护。
另外,该器件也适用于医疗设备、安防监控系统和智能仪表等对稳定性要求较高的场合。通过与其他保护元件(如保险丝、压敏电阻或PTC自恢复保险丝)协同使用,可以构建多级保护方案,提升整个系统的抗扰度和安全性。其紧凑的SMB封装特别适合高密度PCB设计,有助于实现小型化和轻量化目标。
SMBJ24A
P6SMB24A
TPSMBJ24A
ESD9L24.0AT5G