时间：2025/12/26 22:31:16
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1KSMB8.2A是一款由Littelfuse或其他制造商生产的瞬态电压抑制二极管（TVS二极管），主要用于电路中的静电放电（ESD）保护和瞬态过电压防护。该器件采用SMB（DO-214AA）封装，是一种表面贴装型的单向TVS二极管，具有快速响应时间和高浪涌吸收能力。其标称击穿电压为8.2V，意味着在反向电压达到约8.2V时开始进入雪崩击穿区域，能够迅速将瞬态高压钳位于安全水平，从而保护下游敏感电子元件免受损坏。1KSMB8.2A常用于电源线、数据线以及I/O接口的过压保护场景中，适用于消费类电子产品、工业控制系统、通信设备等多种应用环境。由于其单向结构设计，该TVS二极管通常应用于直流或单极性信号线路的保护，不适合交流信号路径。该器件符合RoHS环保要求，并具备良好的热稳定性和可靠性，在多次浪涌冲击下仍能保持性能稳定。
类型：单向TVS二极管
封装：SMB（DO-214AA）
反向关态电压（Vrwm）：7.38V
击穿电压（Vbr）：最小8.2V，典型9.1V
最大钳位电压（Vc）：13.6V @ Ipp = 5.88A
峰值脉冲功率（Ppp）：1000W（10×1000μs波形）
最大反向漏电流（Ir）：≤5μA @ Vrwm
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
安装方式：表面贴装
引脚数：2
湿度敏感等级（MSL）：1级
1KSMB8.2A作为一款高性能的瞬态电压抑制二极管，具备优异的瞬态响应能力和可靠的过压保护特性。其核心优势之一是快速的响应时间，通常小于1纳秒，能够在雷击、电感负载切换或静电放电等瞬态事件发生时立即导通，将有害的能量迅速泄放到地，防止其传递至后级电路。这种极快的反应速度使其成为保护现代高速数字电路和精密模拟器件的理想选择。该器件的雪崩击穿机制具有良好的可重复性，即使在经历多次规定的浪涌电流冲击后，仍能保持稳定的电气参数，不会发生性能退化或永久性损坏。
其SMB封装形式不仅节省PCB空间，还具备较强的散热能力，能够在短时间内承受高达1000W的脉冲功率。这种高能量吸收能力得益于其内部半导体结构的优化设计，能够在不牺牲体积的前提下实现高效的热耗散。此外，1KSMB8.2A的反向漏电流非常低，在正常工作电压下几乎不消耗额外功耗，有利于提升系统的整体能效，尤其适用于电池供电或低功耗设备。
该TVS二极管还具备出色的温度稳定性，其击穿电压随温度变化较小，确保在宽温环境下仍能提供一致的保护性能。制造工艺上采用先进的玻璃钝化技术和气密性封装，增强了器件的抗湿性和长期可靠性，适用于恶劣工业环境。同时，该器件通过了IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4和IEC 61000-4-5等多项国际电磁兼容性标准测试，验证了其在实际应用中的有效性和合规性。
1KSMB8.2A广泛应用于各类需要瞬态过压保护的电子系统中。在消费类电子产品中，它常被用于USB端口、充电接口、音频插孔等易受ESD影响的部位，防止用户操作时产生的静电损坏主控芯片或传感器。在工业自动化领域，该器件可用于PLC输入输出模块、传感器信号线和通信总线（如RS-232、RS-485）的保护，抵御来自长距离布线引入的感应电压或开关瞬变。在电源管理系统中，它可以并联于直流电源输入端，抑制因电源插拔或电网波动引起的电压尖峰，保护DC-DC转换器和微处理器。
此外，1KSMB8.2A也适用于汽车电子中的非动力系统，例如车载信息娱乐系统、仪表盘控制单元和车身控制模块，为低压直流电路提供可靠的瞬态防护。在通信设备中，如路由器、交换机和基站模块，该TVS二极管可用于保护以太网端口和辅助电源线路，提升设备的电磁兼容性和现场稳定性。由于其单向特性，特别适合用于正电压供电轨的保护，例如+5V、+3.3V或+12V电源线。在医疗电子设备中，该器件有助于满足严格的安规和EMC认证要求，保障设备在临床环境下的安全运行。总之，凡是有潜在瞬态电压威胁的直流电路节点，都是1KSMB8.2A的适用场景。
SMBJ8.2A
P6KE8.2A
SMCJ8.2A
