时间:2025/12/26 22:32:25
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1KSMB56A是一款由ONSEMI(安森美)生产的表面贴装硅瞬态电压抑制二极管(TVS Diode),属于SMB封装系列,主要用于保护敏感电子电路免受瞬态高能量脉冲的损害,例如静电放电(ESD)、电感负载切换、雷击感应等。该器件具有快速响应时间、低钳位电压和高浪涌吸收能力,能够在极短时间内将过电压箝制在安全水平,从而有效防止后级电路元件因电压突变而损坏。1KSMB56A的标称击穿电压为64.4V,最大反向关断电压为58V,能够承受高达1000W的峰值脉冲功率(按照10/1000μs波形测试),适用于多种工业、消费类及通信设备中的电源线或信号线保护场景。其采用SMB(DO-214AA)表面贴装封装,体积小、便于自动化贴片生产,适合对空间要求较高的现代电子产品设计。此外,该器件符合RoHS环保标准,无铅且绿色环保,具备良好的可靠性和长期稳定性,是中高压线路中常用的TVS保护器件之一。
器件类型:TVS二极管
极性:单向
封装:SMB(DO-214AA)
峰值脉冲功率:1000W
工作电压范围:58V(最大反向关断电压)
击穿电压:64.4V(最小)
钳位电压:93.6V(最大)
测试电流:1mA
最大漏电流:5μA
响应时间:皮秒级
温度范围:-55℃ ~ +150℃
引脚数:2
1KSMB56A的核心特性在于其优异的瞬态电压抑制能力与稳定的电气性能表现。该TVS二极管采用单向结构设计,适用于直流电源系统的过压保护,当系统遭遇瞬态过压事件时,器件能以接近光速的响应速度(通常在皮秒级别)从高阻态迅速切换至低阻态,将瞬态能量引导至地线路径,从而限制电压上升幅度,确保被保护电路的工作安全。其最大钳位电压为93.6V,在承受8/20μs或10/1000μs标准浪涌电流冲击下仍能维持较低的残余电压,有效降低对下游IC、MOSFET或其他敏感元件的应力影响。
该器件具备高达1000W的峰值脉冲功率处理能力,意味着它可以在短时间内吸收大量能量而不发生热击穿或性能退化。这一特性使其非常适合用于工业控制总线、开关电源输出端、汽车电子模块以及通信接口等可能出现大能量瞬变的场合。同时,其最大反向漏电流仅为5μA,说明在正常工作状态下几乎不产生额外功耗,不会对系统效率造成负面影响,这对于低功耗或电池供电设备尤为重要。
1KSMB56A采用SMB表面贴装封装,外形尺寸紧凑(典型长度约4.3mm,宽度约3.7mm,高度约2.4mm),便于在PCB上实现高密度布局,并兼容自动化回流焊工艺,提升了生产效率和焊接可靠性。材料方面,器件外壳为黑色环氧树脂,具有良好的绝缘性和耐热性,内部芯片通过金线连接至引脚框架,结构牢固,抗机械振动和热循环能力强。此外,产品符合AEC-Q101车规级可靠性认证,可用于部分车载应用环境。
在环境适应性方面,1KSMB56A支持-55℃至+150℃的工作结温范围,可在极端高低温条件下稳定运行,适用于户外设备、工业现场仪表等严苛环境。其符合RoHS和无卤素要求,满足现代电子产品对环保法规的合规需求。整体而言,1KSMB56A是一款兼具高性能、高可靠性和良好工艺兼容性的TVS保护器件,广泛应用于需要中高压瞬态防护的电子系统中。
1KSMB56A常用于各类需要瞬态电压保护的电子系统中,特别是在直流电源输入端口、电源适配器、DC-DC转换模块、继电器驱动电路以及工业自动化设备中发挥关键作用。例如,在PLC控制器、电机驱动器或传感器供电线路中,由于存在感性负载的频繁通断,容易产生反向电动势和电压尖峰,使用1KSMB56A可有效抑制这些瞬态干扰,避免MCU或电源管理芯片受损。在通信领域,该器件可用于RS-485、CAN总线等差分信号线的共模保护,提升系统的电磁兼容性(EMC)性能。
此外,在消费类电子产品如智能电视、机顶盒、路由器等设备的电源输入端,1KSMB56A也常作为第一道防线抵御来自电网的浪涌冲击或插拔瞬间产生的电应力。在汽车电子中,尽管其未专门标注为完全车规级,但由于其宽温特性和一定的浪涌承受能力,仍可用于非主驱类辅助模块,如车身控制模块、车灯驱动或车载信息娱乐系统的电源保护。
在可再生能源系统中,如太阳能逆变器或风力发电控制单元,电网波动或雷击感应可能引发瞬态过压,1KSMB56A可用于直流侧电压监测与保护电路中,提高系统运行的安全性和寿命。总体来看,凡是存在电压突变风险且工作电压在58V左右的直流系统,均可考虑选用1KSMB56A作为经济高效的TVS保护方案。
SMBJ58A\SMBJ58CA\P6KE58A