时间：2025/12/26 22:41:59
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1KSMB30A是一款由RECTRON Semiconductor生产的表面贴装（SMA）硅瞬态电压抑制二极管（TVS Diode），主要用于保护敏感电子电路免受瞬态电压脉冲的损害，例如静电放电（ESD）、电感负载切换、雷击感应电压等。该器件采用SMA封装（DO-214AC），具有紧凑的尺寸和良好的热性能，适用于空间受限的高密度PCB设计。1KSMB30A属于单向TVS二极管，意味着它仅在一个方向上提供过压保护，通常用于直流电路中。其主要功能是在电压超过预定击穿电压时迅速导通，将多余的能量通过低阻抗路径泄放到地，从而钳制电压在安全范围内，保护后续电路元件。该器件具有快速响应时间（通常小于1纳秒），能够有效抑制瞬态高压脉冲，确保系统稳定性和可靠性。由于其高能量吸收能力和稳定的电气特性，1KSMB30A广泛应用于电源管理、通信接口、工业控制、消费电子和汽车电子等领域。
类型：单向TVS二极管
封装：SMA (DO-214AC)
反向关断电压（Vrwm）：26.7 V
击穿电压（Vbr）：最小 29.7 V，最大 32.9 V
测试电流（Itest）：1 mA
最大钳位电压（Vc）：48.4 V
峰值脉冲电流（Ipp）：15.3 A
峰值脉冲功率（Ppk）：700 W
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
漏电流（Ir）：最大 1 μA
1KSMB30A具备优异的瞬态电压抑制能力，能够在极端条件下提供可靠的电路保护。其核心优势在于高达700W的峰值脉冲功率处理能力，使其能够承受大能量瞬态事件而不损坏。该TVS二极管的响应速度极快，通常在皮秒到纳秒级别，远快于传统过压保护器件如压敏电阻或保险丝，因此可在瞬态电压到达被保护元件之前迅速动作，有效防止损坏。
该器件采用先进的硅PN结制造工艺，确保了击穿电压的高度一致性与稳定性，其击穿电压范围为29.7V至32.9V，在1mA测试电流下可确保精确触发。反向关断电压为26.7V，表示在正常工作状态下，器件呈现高阻态，漏电流低于1μA，几乎不消耗系统功耗，也不会对电路造成干扰。当线路中出现超过击穿电压的瞬态电压时，TVS迅速进入雪崩击穿状态，形成低阻抗通路，将浪涌电流引导至地线，同时将电压钳制在48.4V以下，从而保护后级低压元件如MCU、ADC、通信接口芯片等。
SMA封装不仅节省PCB空间，还提供了良好的散热性能，有助于在多次浪涌冲击下保持长期可靠性。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅且符合现代绿色电子制造要求。其工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适用于恶劣环境下的工业和汽车应用。1KSMB30A经过严格的老化和可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、温度循环、湿度敏感度等级（MSL-1）等认证，确保在各种应用场景中的长期稳定性与耐用性。
1KSMB30A广泛应用于需要瞬态电压保护的各种电子系统中。典型应用包括开关电源（SMPS）的输出端过压保护，防止因控制环路失效或负载突变引起的电压尖峰；工业控制系统中的I/O接口保护，抵御来自长电缆引入的电磁干扰和感应电压；通信设备中的RS-232、RS-485、CAN总线等接口的ESD和雷击浪涌防护；消费类电子产品如机顶盒、显示器、智能家居控制器中的电源轨保护；以及汽车电子中的12V或24V车载电源系统的瞬态抑制。此外，该器件也常用于电池管理系统（BMS）、LED驱动电源和医疗电子设备中，以提高系统的安全性和EMC兼容性。
SMBJ30A, SMAJ30A, P6KE30A, 1.5KE30A
