时间：2025/12/26 22:34:37
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1KSMB16A是一款由ON Semiconductor生产的表面贴装硅瞬态电压抑制二极管（TVS Diode），属于SMB（DO-214AA）封装系列。该器件专为保护敏感电子电路免受瞬态高能量脉冲的影响而设计，例如静电放电（ESD）、电感负载切换引起的电压浪涌以及雷击感应等。1KSMB16A的击穿电压范围适合用于16V系统中，能够快速响应瞬态过压事件，并将电压钳位在安全水平，从而防止下游元件损坏。该TVS二极管具有低动态电阻、高浪涌吸收能力以及快速响应时间（通常在皮秒级），是工业控制、消费电子、通信设备和汽车电子等领域中常见的保护元件。其SMB封装形式支持自动化贴片生产，适用于现代PCB表面贴装工艺，节省空间并提高组装效率。此外，该器件符合RoHS环保要求，无铅且绿色环保，广泛应用于需要高可靠性和稳定性的场合。由于其单向（Uni-directional）特性，1KSMB16A主要用于直流电源线路或信号线的正向电压保护场景中。
类型：单向TVS二极管
封装：SMB（DO-214AA）
反向截止电压（Vrwm）：14.4V
击穿电压（Vbr）：最小16.0V，最大17.8V
钳位电压（Vc）：25.4V @ Ipp = 9.8A
峰值脉冲功率（Pppm）：1000W（1ms 单脉冲）
测试电流（It）：1.0mA
最大反向漏电流（Ir）：≤ 1μA @ Vrwm
峰值脉冲电流（Ipp）：9.8A
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
1KSMB16A具备优异的瞬态电压抑制性能，能够在极端电气环境下提供可靠的电路保护。其核心优势之一是高达1000W的峰值脉冲功率处理能力，这使得它能够承受如IEC61000-4-2规定的ESD事件以及IEC61000-4-5定义的闪电感应浪涌等高强度瞬态干扰。器件采用硅PN结雪崩击穿机制，在电压超过阈值时迅速导通，将多余能量导入地线，从而限制负载端电压上升。这种反应时间极短，通常在纳秒甚至皮秒级别，远快于传统的过压保护装置如保险丝或热敏电阻。
该TVS二极管具有非常低的动态阻抗，这意味着在钳位过程中其内部压降变化小，能更有效地控制输出电压稳定性。同时，1KSMB16A的钳位电压仅为25.4V，相对于被保护的16V系统而言提供了足够的安全裕度，避免因过高钳位电压导致后级IC受损。其反向漏电流极低（不超过1μA），在正常工作状态下几乎不消耗额外功耗，不会对原电路运行造成影响，特别适用于低功耗或电池供电系统。
SMB封装不仅体积小巧（约4.3mm x 2.4mm x 2.1mm），还具备良好的散热性能，通过焊盘可有效传导热量，提升长期工作的可靠性。该器件经过严格的老化筛选和质量控制流程，确保批次一致性与高可靠性，适合应用于严苛环境下的工业自动化、电机驱动器、电源模块、接口端口（如RS-232、USB）保护等场景。此外，1KSMB16A具备出色的循环耐久性，能够多次承受额定浪涌而不发生性能退化，延长系统使用寿命。
1KSMB16A广泛应用于各类需要瞬态过压保护的电子系统中，尤其适用于直流电源轨的防护。常见应用场景包括开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、充电电路以及电池管理系统中的电压稳定保护。在工业控制系统中，该器件可用于PLC输入/输出端口、继电器驱动电路及传感器接口的浪涌抑制，防止因电磁干扰或电感反冲造成的控制器复位或损坏。
在通信设备领域，1KSMB16A常用于以太网端口、串行通信线路（如RS-485、CAN总线）以及电话线路接口的ESD和雷击浪涌保护。其快速响应能力和高能量吸收特性使其成为保障通信链路稳定运行的重要组件。在消费类电子产品中，该TVS二极管可用于保护USB端口、音频插孔、显示模块等易受人体静电影响的部位，提升产品耐用性和用户体验。
此外，在汽车电子系统中，尽管非专门车规级型号可能受限，但在部分辅助电路（如车载信息娱乐系统、灯光控制模块）中仍可使用1KSMB16A进行初级保护。它也适用于智能家居设备、安防监控系统、医疗仪器等对可靠性要求较高的嵌入式系统中，作为关键节点的电压钳位元件。总之，任何存在瞬态电压风险的16V左右直流电路均可考虑采用1KSMB16A实现高效、紧凑的过压防护方案。
SMBJ16A
1.5KE16A
P6KE16A
